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電子行業(yè)涉及的產(chǎn)品有很多,大大小小也是數(shù)不勝數(shù),如果真想知道電子行業(yè),還不如針對(duì)某一塊領(lǐng)域去深入了解,這樣顯得更高效,在這也并不是說可以瞬間明白某些東西,只能是讓你在一個(gè)領(lǐng)域不在那么迷茫,要成為專家可能是需要花上幾年的時(shí)間.就好比很多剛進(jìn)石英晶振行業(yè)的朋友,想快速知道其中的一些原理,也并非不可能,只要把握一些常見的晶振知識(shí),在解決問題上還是不會(huì)太過困難,這些晶振術(shù)語就是我司康比電子整合的一些資料,希望對(duì)大家有所幫助.
晶體單元的等效電路
在諧振點(diǎn)附近具有與進(jìn)口晶振單元相同阻抗的電路.
負(fù)載能力(CL)
與晶體相關(guān)的有效外部電容決定了負(fù)載下的諧振頻率fL.
標(biāo)稱頻率(f0)
晶體規(guī)格指定的頻率.
串聯(lián)諧振頻率(fr)
晶體單元的電阻抗變?yōu)殡娮璧膬蓚€(gè)頻率中的較低頻率.
負(fù)載共振頻率(fL)
當(dāng)負(fù)載電容在指定條件下與振蕩器串聯(lián)或并聯(lián)連接時(shí),其電阻抗變?yōu)殡娮璧膬蓚€(gè)頻率之一.當(dāng)負(fù)載電容串聯(lián)時(shí),該頻率是兩個(gè)頻率中的較低頻率.
等效串聯(lián)電阻(Rr,R1)
單晶單元在串聯(lián)諧振頻率下的電阻.
等效負(fù)載電阻(RL)
當(dāng)外部電容器與晶體單元串聯(lián)時(shí),在負(fù)載下諧振頻率下的電阻.
等效串聯(lián)電感(L1)
等效電路串聯(lián)臂的電感.
等效串聯(lián)電容(C1)
等效電路串聯(lián)臂的電容.
并聯(lián)容量(C0)
電極之間的電容與支撐系統(tǒng)的雜散電容.
容量比(C0/C1)
并聯(lián)容量與等效串聯(lián)容量之比.
泛音順序
在特定振動(dòng)模式下,從整數(shù)分配給基頻振動(dòng)為1的泛音振動(dòng)的數(shù)字.
頻率公差(Δf/f0)
它是在室溫(25°C)下與標(biāo)稱頻率的偏差,以ppm表示.
工作溫度范圍
換能器在指定規(guī)格內(nèi)工作的溫度范圍.
儲(chǔ)存溫度范圍
一個(gè)溫度范圍,當(dāng)OSC晶振在一段時(shí)間內(nèi)處于非活動(dòng)狀態(tài)時(shí),可以保持特性.
以上十五個(gè)晶振術(shù)語不知你是否有看懂,有些是需要細(xì)細(xì)去研究,但負(fù)載,工作溫度,儲(chǔ)存溫度可能會(huì)好理解一些,這些都是常見的,也是大家尤為關(guān)注的.很多客戶需要購買金屬面四腳晶振都會(huì)有些要求,如果對(duì)這些不懂得也說不過去.晶振術(shù)語也并不止這些,在這舉例也是較為常見,幫助大家理解,一些知識(shí)也是靠著積累所去掌握,希望大家在晶振行業(yè)也是越來越順.
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