我們領(lǐng)先的物聯(lián)網(wǎng)平臺可幫助您快速創(chuàng)建安全、智能的互聯(lián)設(shè)備，解決世界上尤為復(fù)雜的挑戰(zhàn)。
我們與業(yè)內(nèi)廣泛的協(xié)議和生態(tài)系統(tǒng)兼容，因此您幾乎可針對任何應(yīng)用快速推出集成設(shè)備。
我們憑借創(chuàng)新性和簡潔性為客戶創(chuàng)造價值并助力其取得商業(yè)成功。
我們專注于創(chuàng)新性和簡潔性，刪繁就簡、精益求精，幫助客戶取得成功。
我們信守承諾，堅守責(zé)任。
我們采用不留紕漏的工程設(shè)計，以身作則，致力于追求卓越。
我們以正確之道行事。
我們誠信經(jīng)營，為員工、客戶、股東、社區(qū)和地球行正確之事。
我們公司的故事始于德克薩斯州奧斯汀，在這里，三位熱衷于混合信號設(shè)計的工程師相遇了
Nav Sooch、Jeff Scott 和 Dave Welland 才華橫溢且互相尊重，因此成為了摯友。在下班后的閑暇時光里，他們討論了自己公司成立的利弊。Dave 建議扔硬幣來決定，如果正面向上便自己創(chuàng)業(yè)，反面向上則放棄創(chuàng)業(yè)的想法。硬幣正面向上，Silicon Labs 便這樣誕生了。當(dāng)被問及如果反面向上會怎么做時，他們說：“我們會采取三局兩勝制。”
我們的DAA用更精密、更高效的集成電路 (IC) 取代了大量體積龐大的組件
我們的解決方案能夠讓單一調(diào)制解調(diào)器在全球范圍內(nèi)工作，成本是競爭對手產(chǎn)品的一半，而電路板空間僅占用其五分之一。11月，我們的DAA設(shè)備發(fā)貨量達(dá)100萬臺，在短短兩年內(nèi)便從開發(fā)原型設(shè)備階段轉(zhuǎn)變?yōu)榫邆溆芰Α?/span>
隨著新千禧年的到來，我們已準(zhǔn)備好迎接增長
2000年3月，我們通過首次公開募股招股 9,900萬美元，成為美國納斯達(dá)克股票交易所上市公司（股票代碼為 SLAB），我們的估值達(dá)到12億美元。在接下來的幾個月里，股票價格幾乎翻了三倍，使得我們償還我們的風(fēng)險資本投資者。
我們看到了物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)實現(xiàn)聯(lián)合國可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)的絕佳機(jī)會，并認(rèn)識到了這種變化從家里開始。2022年，我們成為EPA綠色能源合作伙伴，鞏固了我們減少排放和向可再生能源過渡的承諾。我們有望在2025年前將奧斯汀總部的范圍1和范圍2GHG排放量減少50%，并過渡到100%我們設(shè)施中的可再生能源。我們也在仔細(xì)檢查我們OSC振蕩器產(chǎn)品的下游影響，并繼續(xù) 在我們自己的解決方案中提高能效。
我們對可持續(xù)和負(fù)責(zé)任運(yùn)營的承諾貫穿于整個供應(yīng)鏈。2022年，我們加入了負(fù)責(zé)任的 商業(yè)聯(lián)盟，增加透明度和與供應(yīng)商的合作。我們一起努力提高效率和社交， 道德和環(huán)境責(zé)任貫穿我們的全球運(yùn)營。
我們將繼續(xù)投資于我們的員工和促進(jìn)創(chuàng)新和包容的計劃。當(dāng)我們回到辦公室時，我們提出了新的隨著Silabs大學(xué)的成立，靈活的工作安排和獲得培訓(xùn)和指導(dǎo)的機(jī)會增加了。我們是積極為代表性不足的人才開辟道路，并致力于推動長期變革，因為我們在我們的招聘、發(fā)展和晉升實踐。2022年，我們成立了DEI委員會來指導(dǎo)我們的工作，審查來自 指導(dǎo)未來行動計劃的年度包容性評估。
原廠代碼
品牌
型號
頻率
電壓
頻率穩(wěn)定度
511ABA74M2500AAGR
Silicon振蕩器
Si511
74.25MHz
3.3V
±25ppm
511BBA000149AAGR
Silicon振蕩器
Si511
74.175824MHz
3.3V
±25ppm
511BBA74M2500AAGR
Silicon振蕩器
Si511
74.25MHz
3.3V
±25ppm
511FBA000149AAGR
Silicon振蕩器
Si511
74.175824MHz
2.5V
±25ppm
511FBA74M2500AAGR
Silicon振蕩器
Si511
74.25MHz
2.5V
±25ppm
510ABA156M250BAGR
Silicon振蕩器
Si510
156.25MHz
3.3V
±25ppm
510FBA156M250BAGR
Silicon振蕩器
Si510
156.25MHz
2.5V
±25ppm
511ABA156M250BAGR
Silicon振蕩器
Si511
156.25MHz
3.3V
±25ppm
511BBA156M250BAGR
Silicon振蕩器
Si511
156.25MHz
3.3V
±25ppm
511FBA156M250BAGR
Silicon振蕩器
Si511
156.25MHz
2.5V
±25ppm
510ABA155M520BAGR
Silicon振蕩器
Si510
155.52MHz
3.3V
±25ppm
510BBA155M520BAGR
Silicon振蕩器
Si510
155.52MHz
3.3V
±25ppm
510FBA155M520BAGR
Silicon振蕩器
Si510
155.52MHz
2.5V
±25ppm
511ABA155M520BAGR
Silicon振蕩器
Si511
155.52MHz
3.3V
±25ppm
511BBA155M520BAGR
Silicon振蕩器
Si511
155.52MHz
3.3V
±25ppm
511FBA148M500BAGR
Silicon振蕩器
Si511
148.5MHz
2.5V
±25ppm
511FBA155M520BAGR
Silicon振蕩器
Si511
155.52MHz
2.5V
±25ppm
510ABA000110BAGR
Silicon振蕩器
Si510
148.35165MHz
3.3V
±25ppm
510ABA148M500BAGR
Silicon振蕩器
Si510
148.5MHz
3.3V
±25ppm
510BBA000110BAGR
Silicon振蕩器
Si510
148.35165MHz
3.3V
±25ppm
510BBA148M500BAGR
Silicon振蕩器
Si510
148.5MHz
3.3V
±25ppm
510FBA000110BAGR
Silicon振蕩器
Si510
148.35165MHz
2.5V
±25ppm
510FBA148M500BAGR
Silicon振蕩器
Si510
148.5MHz
2.5V
±25ppm
511ABA000110BAGR
Silicon振蕩器
Si511
148.35165MHz
3.3V
±25ppm
511ABA148M500BAGR
Silicon振蕩器
Si511
148.5MHz
3.3V
±25ppm
511BBA000110BAGR
Silicon振蕩器
Si511
148.35165MHz
3.3V
±25ppm
511BBA148M500BAGR
Silicon振蕩器
Si511
148.5MHz
3.3V
±25ppm
511FBA000110BAGR
Silicon振蕩器
Si511
148.35165MHz
2.5V
±25ppm
510ABA156M250AAGR
Silicon振蕩器
Si510
156.25MHz
3.3V
±25ppm
510BBA156M250AAGR
Silicon振蕩器
Si510
156.25MHz
3.3V
±25ppm
510FBA156M250AAGR
Silicon振蕩器
Si510
156.25MHz
2.5V
±25ppm
511BBA156M250AAGR
Silicon振蕩器
Si511
156.25MHz
3.3V
±25ppm
511FBA156M250AAGR
Silicon振蕩器
Si511
156.25MHz
2.5V
±25ppm
510ABA155M520AAGR
Silicon振蕩器
Si510
155.52MHz
3.3V
±25ppm
510BBA155M520AAGR
Silicon振蕩器
Si510
155.52MHz
3.3V
±25ppm
510FBA155M520AAGR
Silicon振蕩器
Si510
155.52MHz
2.5V
±25ppm
511ABA155M520AAGR
Silicon振蕩器
Si511
155.52MHz
3.3V
±25ppm
511BBA155M520AAGR
Silicon振蕩器
Si511
155.52MHz
3.3V
±25ppm
511FBA155M520AAGR
Silicon振蕩器
Si511
155.52MHz
2.5V
±25ppm
510ABA000110AAGR
Silicon振蕩器
Si510
148.35165MHz
3.3V
±25ppm
510ABA148M500AAGR
Silicon振蕩器
Si510
148.5MHz
3.3V
±25ppm
510BBA000110AAGR
Silicon振蕩器
Si510
148.35165MHz
3.3V
±25ppm
510BBA148M500AAGR
Silicon振蕩器
Si510
148.5MHz
3.3V
±25ppm
510FBA000110AAGR
Silicon Crystal
Si510
148.35165MHz
2.5V
±25ppm
510FBA148M500AAGR
Silicon振蕩器
Si510
148.5MHz
2.5V
±25ppm
511ABA000110AAGR
Silicon振蕩器
Si511
148.35165MHz
3.3V
±25ppm
511ABA148M500AAGR
Silicon振蕩器
Si511
148.5MHz
3.3V
±25ppm
511BBA000110AAGR
Silicon振蕩器
Si511
148.35165MHz
3.3V
±25ppm
511BBA148M500AAGR
Silicon振蕩器
Si511
148.5MHz
3.3V
±25ppm
511FBA000110AAGR
Silicon振蕩器
Si511
148.35165MHz
2.5V
±25ppm
511FBA148M500AAGR
Silicon振蕩器
Si511
148.5MHz
2.5V
±25ppm
511ABA25M0000BAGR
Silicon振蕩器
Si511
25MHz
3.3V
±25ppm
511ABA125M000AAG
Silicon振蕩器
Si511
125MHz
3.3V
±25ppm
510ABA200M000BAGR
Silicon振蕩器
Si510
200MHz
3.3V
±25ppm
510BBA200M000BAGR
Silicon振蕩器
Si510
200MHz
3.3V
±25ppm
510FBA200M000BAGR
Silicon振蕩器
Si510
200MHz
2.5V
±25ppm
511ABA200M000BAGR
Silicon振蕩器
Si511
200MHz
3.3V
±25ppm
511BBA200M000BAGR
Silicon振蕩器
Si511
200MHz
3.3V
±25ppm
511FBA200M000BAGR
Silicon振蕩器
Si511
200MHz
2.5V
±25ppm
510ABA212M500BAGR
Silicon振蕩器
Si510
212.5MHz
3.3V
±25ppm
510BBA212M500BAGR
Silicon振蕩器
Si510
212.5MHz
3.3V
±25ppm
510FBA212M500BAGR
Silicon振蕩器
Si510
212.5MHz
2.5V
±25ppm
511ABA212M500BAGR
Silicon振蕩器
Si511
212.5MHz
3.3V
±25ppm
511BBA212M500BAGR
Silicon振蕩器
Si511
212.5MHz
3.3V
±25ppm
511FBA212M500BAGR
Silicon振蕩器
Si511
212.5MHz
2.5V
±25ppm
510FBA200M000AAGR
Silicon振蕩器
Si510
200MHz
2.5V
±25ppm
510ABA200M000AAGR
Silicon振蕩器
Si510
200MHz
3.3V
±25ppm
510BBA200M000AAGR
Silicon振蕩器
Si510
200MHz
3.3V
±25ppm
511ABA200M000AAGR
Silicon振蕩器
Si511
200MHz
3.3V
±25ppm
511BBA200M000AAGR
Silicon振蕩器
Si511
200MHz
3.3V
±25ppm
511FBA200M000AAGR
Silicon振蕩器
Si511
200MHz
2.5V
±25ppm
510ABA212M500AAGR
Silicon振蕩器
Si510
212.5MHz
3.3V
±25ppm
510BBA212M500AAGR
Silicon振蕩器
Si510
212.5MHz
3.3V
±25ppm
510FBA212M500AAGR
Silicon振蕩器
Si510
212.5MHz
2.5V
±25ppm
511ABA212M500AAGR
Silicon振蕩器
Si511
212.5MHz
3.3V
±25ppm
511BBA212M500AAGR
Silicon振蕩器
Si511
212.5MHz
3.3V
±25ppm
511FBA212M500AAGR
Silicon振蕩器
Si511
212.5MHz
2.5V
±25ppm
511SAA20M0000AAG
Silicon振蕩器
Si511
20MHz
1.8V
±50ppm
510BBA150M000BAG
Silicon振蕩器
Si510
150MHz
3.3V
±25ppm
511BCB125M000AAG
Silicon振蕩器
Si511
125MHz
3.3V
±20ppm
510FBA154M875AAG
Silicon振蕩器
Si510
154.875MHz
2.5V
±25ppm
510FBA157M625AAG
Silicon振蕩器
Si510
157.625MHz
2.5V
±25ppm
511ABA25M0000AAG
Silicon振蕩器
Si511
25MHz
3.3V
±25ppm
511JBA125M000AAG
Silicon振蕩器
Si511
125MHz
1.8V
±25ppm
510KCA100M000BAG
Silicon振蕩器
Si510
100MHz
1.8V
±20ppm
590AB70M6560DG
Silicon振蕩器
Si590
70.656MHz
3.3V
±25ppm
590FA200M000DG
Silicon振蕩器
Si590
200MHz
2.5V
±50ppm
590DA156M250DG
Silicon振蕩器
Si590
156.25MHz
3.3V
±50ppm
591BB300M000DG
Silicon振蕩器
Si591
300MHz
3.3V
±25ppm
550CD74M2500DGR
Silicon振蕩器
Si550
74.25MHz
3.3V
±50ppm
530CA28M6000DG
Silicon振蕩器
Si530
28.6MHz
3.3V
±50ppm
530AC125M000DGR
Silicon振蕩器
Si530
125MHz
3.3V
±7ppm
530BC125M000DGR
Silicon振蕩器
Si530
125MHz
3.3V
±7ppm
530EC125M000DGR
Silicon振蕩器
Si530
125MHz
2.5V
±7ppm
531AC125M000DGR
Silicon振蕩器
Si531
125MHz
3.3V
±7ppm
531BC125M000DGR
Silicon振蕩器
Si531
125MHz
3.3V
±7ppm
531EC125M000DGR
Silicon振蕩器
Si531
125MHz
2.5V
±7ppm
531FC125M000DGR
Silicon振蕩器
Si531
125MHz
2.5V
±7ppm
530AC106M250DGR
Silicon振蕩器
Si530
106.25MHz
3.3V
±7ppm
530BC106M250DGR
Silicon振蕩器
Si530
106.25MHz
3.3V
±7ppm
530EC106M250DGR
Silicon振蕩器
Si530
106.25MHz
2.5V
±7ppm
530FC106M250DGR
Silicon振蕩器
Si530
106.25MHz
2.5V
±7ppm
531AC106M250DGR
Silicon振蕩器
Si531
106.25MHz
3.3V
±7ppm
531BC106M250DGR
Silicon振蕩器
Si531
106.25MHz
3.3V
±7ppm
531EC106M250DGR
Silicon振蕩器
Si531
106.25MHz
2.5V
±7ppm
531FC106M250DGR
Silicon振蕩器
Si531
106.25MHz
2.5V
±7ppm
我們在2022年取得了巨大的進(jìn)步，以進(jìn)一步推進(jìn)我們的可持續(xù)發(fā)展努力，并相信我們有愿景和重點(diǎn)來實現(xiàn)更可持續(xù)的通過我們的有源晶體振蕩器產(chǎn)品、運(yùn)營和人員來影響世界。2023年，我們很高興能夠繼續(xù)在可持續(xù)發(fā)展方面取得進(jìn)展，包括各項舉措推進(jìn)我們的環(huán)境和網(wǎng)絡(luò)安全工作，促進(jìn)健康、包容和參與式的工作文化。Silicon Labs可持續(xù)發(fā)展方案.
Silicon Labs是安全、智能無線技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，致力于打造更加互聯(lián)的世界。我們讓開發(fā)者輕松解決復(fù)雜的無線挑戰(zhàn)在整個產(chǎn)品生命周期中，通過創(chuàng)新的解決方案快速進(jìn)入市場改變工業(yè)，發(fā)展經(jīng)濟(jì)，改善生活。我們支持可持續(xù)發(fā)展物聯(lián)網(wǎng)解決方案可顯著支持提高能效、改善健康、創(chuàng)新基礎(chǔ)設(shè)施、可持續(xù)城市和負(fù)責(zé)任的生產(chǎn).我們是一家無晶圓廠半導(dǎo)體公司，總部位于德克薩斯州奧斯汀，擁有全球20個國家的員工和制造合作伙伴。我們承諾 清潔技術(shù)產(chǎn)品設(shè)計，對環(huán)境和社會負(fù)責(zé)的運(yùn)營貫穿我們的供應(yīng)鏈，并提供最高水平的產(chǎn)品安全。
硅實驗室正在創(chuàng)造一個更智能、更互聯(lián)的世界。我們堅定不移致力于推進(jìn)我們的環(huán)境、社會和治理工作，并成為半導(dǎo)體行業(yè)的可持續(xù)領(lǐng)導(dǎo)者。我們的可持續(xù)性戰(zhàn)略以我們的核心價值觀為指導(dǎo)，并專注于我們認(rèn)為我們可以產(chǎn)生最大的影響:創(chuàng)造具有積極的環(huán)境和社會影響的創(chuàng)新產(chǎn)品，培養(yǎng)和增強(qiáng)多元化、創(chuàng)新文化；以對環(huán)境和社會負(fù)責(zé)的方式開展業(yè)務(wù)方式；與我們的利益相關(guān)者和社區(qū)分享價值創(chuàng)造在未來。我們從環(huán)境、社會和治理(ESG)主題的角度看待可持續(xù)發(fā)展，關(guān)注我們的 五個戰(zhàn)略領(lǐng)域的可持續(xù)發(fā)展目標(biāo):員工 福祉、產(chǎn)品和服務(wù)創(chuàng)新、生態(tài)高效運(yùn)營、減緩氣候變化和負(fù)責(zé)任的供應(yīng)鏈。
我們定期與利益相關(guān)方接觸，以更好地了解他們的ESG觀點(diǎn)， 在我們選擇戰(zhàn)略重點(diǎn)領(lǐng)域時，仔細(xì)考慮反饋。
ESG是Silicon晶振持續(xù)關(guān)注的焦點(diǎn)，由我們的ESG指導(dǎo)委員會領(lǐng)導(dǎo)它不斷評估風(fēng)險和機(jī)遇，這些風(fēng)險和機(jī)遇將決定我們的發(fā)展戰(zhàn)略。指導(dǎo)委員會由高級管理人員組成和跨職能人員，他們的任務(wù)是制定戰(zhàn)略， 推動目標(biāo)，報告成就。我們關(guān)注幾個全球性的自愿可持續(xù)性和報告框架，包括可持續(xù)性會計準(zhǔn)則委員會(SASB)和氣候相關(guān)工作隊財務(wù)披露(TCFD)，這是我們首次披露的內(nèi)容附錄中的報告。我們還使我們的環(huán)境、社會和治理舉措與聯(lián)合國保持一致可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)和聯(lián)合國全球契約。我們有一個強(qiáng)大的ESG路線圖，具有基于改善企業(yè)的明確目標(biāo)責(zé)任和可持續(xù)發(fā)展。
利益相關(guān)者的參與是硅實驗室的優(yōu)先事項。我們相信持續(xù)與利益相關(guān)者進(jìn)行公開對話，包括了解材料主題、期望和參與流程，對于硅實驗室的成功至關(guān)重要。 2022年，我們進(jìn)行了第一次實質(zhì)性評估利益相關(guān)方的反饋貫穿于我們的長期戰(zhàn)略重點(diǎn) ESG是我們可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略的重要組成部分。我們針對內(nèi)部和外部的利益相關(guān)者，包括硅實驗室領(lǐng)導(dǎo)團(tuán)隊、客戶、投資者、供應(yīng)商和非營利組織。 憑借89%的參與率，我們能夠更好地完善我們的ESG戰(zhàn)略考慮數(shù)據(jù)隱私和安全性以及董事會的獨(dú)立性和多樣性。我們將使實質(zhì)性評估成為一項年度活動，目標(biāo)是隨著我們的發(fā)展，我們的主要客戶、投資者和供應(yīng)商的人口。
硅實驗室是安全、智能無線技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者物聯(lián)網(wǎng)是一個不斷增長的智能互聯(lián)設(shè)備市場部署在全世界的家庭、工業(yè)和城市中。
我們的產(chǎn)品支持家庭、醫(yī)療、工業(yè)和商業(yè)環(huán)境中的可持續(xù)物聯(lián)網(wǎng)解決方案，包括空氣污染和廢物管理監(jiān)控、水完整性、住宅灌溉 監(jiān)控、街道照明網(wǎng)絡(luò)、高級計量基礎(chǔ)設(shè)施和建筑能源管理。
我們在高性能、低功耗和安全性方面處于行業(yè)領(lǐng)先地位，支持最廣泛的 多協(xié)議解決方案。我們對節(jié)能的熱情已經(jīng)從芯片級設(shè)計發(fā)展到系統(tǒng)級功耗 消費(fèi)。我們提供小型節(jié)能集成電路，可將電池壽命延長25 百分比，從而減少一次性電池并減少垃圾填埋。
我們不斷創(chuàng)新，以提高我們的產(chǎn)品和服務(wù)的能效和生產(chǎn)率。硅 實驗室致力于縮小芯片尺寸以提高產(chǎn)量，進(jìn)一步降低能耗 足跡，并優(yōu)化制造過程，以減少來源。我們的系列2產(chǎn)品已經(jīng) 旨在滿足低功耗物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備日益增長的需求，使設(shè)備能夠在現(xiàn)場 一節(jié)紐扣電池可使用長達(dá)十年。
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