眾多五花八門的和黑科技以及智能化,高科技等產(chǎn)品的出現(xiàn)都是源自于電子元件所提供的基本性能,從電子元件到形成個一個成品當(dāng)然需要很多的工序,當(dāng)然最開始的設(shè)計需要了解一些電子元件的基本性能才能知道是否適合使用在產(chǎn)品中,就拿我們的晶振元件來說,首先最基本的是要了解到它的頻率,是選用MHZ晶振還是32.768K,其次精度（ppm）,再者是負(fù)載電容（PF）.而該篇文章主要就深入了解負(fù)載電容.
負(fù)載電容:參考了“特定負(fù)載電容”。負(fù)荷電容可以描述為“測量或計算的電容值，存在于振蕩器電路，通過晶體的連點”.在串聯(lián)諧振電路的情況下，存在石英晶振單元的連接點之間不存在電容，因此也不存在負(fù)載電容不需要對串聯(lián)諧振晶體單元進(jìn)行說明。在并聯(lián)諧振振蕩器的情況下電路中，電容是存在的。由于電容的直接尺寸是不合理的，所以它經(jīng)常需要計算值。負(fù)載電容值的計算是用下列方程式:
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