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即將進(jìn)入愛(ài)普生X1G0028610002壓控晶振編碼世界

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X1G0028610002石英晶體振蕩器X1G0044010008愛(ài)普生晶振X1G0041411002日本EPSON晶振 X1G0028610003日本SPXO晶振X1G0044010011石英振蕩子X(jué)1G0041411004 愛(ài)普生晶振 X1G0028610004石英晶振X1G0045411003石英晶體振蕩器X1G0041411006 石英振蕩子 X1G0028610005進(jìn)口有源晶振X1G0045411005日本SPXO晶振X1G0041411007石英晶體振蕩器 X1G0028610007普通有源晶振X1G0045411007石英晶振X1G0041411011日本SPXO晶振X1G0028610008晶振X1G0045510003進(jìn)口有源晶振X1G0041411012石英晶振X1G0028610009日本EPSON晶振X1G0045510004普通有源晶振X1G0041411013進(jìn)口有源晶振X1G0028610010愛(ài)普生晶振 X1G0045510007晶振X1G0041411014普通有源晶振X1G0028610011石英振蕩子

型號(hào) 頻率 尺寸 輸出波 電源電壓 VC范圍 絕對(duì)拉力范圍 頻率控制范圍 溫度 頻率容差 25°老化 最大
VG7050EAN 622.080000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm LV-PECL 2.970 to 3.630 V 1.65+/-1.35V +/-0 to +/-180 ppm N/A ppm -40 to +85 °C +/-50 ppm 包括在頻率容限中
≤ 90 mA
VG7050EAN 622.080000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm LV-PECL 2.970 to 3.630 V 1.65+/-1.35V +/-0 to +/-180 ppm N/A ppm -40 to +85 °C +/-50 ppm 包括在頻率容限中 ≤ 90 mA
EV1409SAN 14.00 x 9.00 x 2.60 mm Sine wave 3.135 to 3.465 V 1.65+/-1.65V +/-50 ppm -170/+120 ppm -10 to +85 °C -70/+120 ppm 包括在頻率容限中
≤ 90 mA
EV1409EAN 1986.819000 MHz 14.00 x 9.00 x 2.60 mm LV-PECL 3.135 to 3.465 V 1.65+/-1.65V +/-50 ppm N/A ppm -10 to +85 °C -70/+120 ppm 包括在頻率容限中
≤ 90 mA
VG-4231CE 27.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 1.600 to 2.000 V 0.9+/-0.9V +/-75 ppm +/-120 ppm -40 to +85 °C +/-37 ppm +/-5ppm ≤ 1.2 mA
VG-4231CE 27.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 3.000 to 3.600 V 1.65+/-1.65V +/-95 ppm +/-140 ppm -40 to +85 °C +/-37 ppm +/-5ppm ≤ 7 mA
VG-4231CE 27.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 3.000 to 3.600 V 1.65+/-1.65V +/-100 ppm +/-140 ppm -20 to +70 °C +/-30 ppm +/-5ppm ≤ 7 mA
VG-4231CE 24.576000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 3.000 to 3.600 V 1.65+/-1.65V +/-95 ppm +/-140 ppm -40 to +85 °C +/-37 ppm +/-5ppm ≤ 7 mA
VG-4231CE 16.384000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 3.000 to 3.600 V 1.65+/-1.65V +/-100 ppm +/-140 ppm -20 to +70 °C +/-30 ppm +/-5ppm ≤ 7 mA
VG-4231CE 57.272720 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 3.000 to 3.600 V 1.65+/-1.65V +/-95 ppm +/-140 ppm -40 to +85 °C +/-37 ppm +/-5ppm ≤ 7 mA
VG-4231CE 56.750000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 3.000 to 3.600 V 1.65+/-1.65V +/-95 ppm +/-140 ppm -40 to +85 °C +/-37 ppm +/-5ppm ≤ 7 mA
VG-4231CE 17.734475 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 3.000 to 3.600 V 1.65+/-1.65V +/-95 ppm +/-140 ppm -40 to +85 °C +/-37 ppm +/-5ppm ≤ 7 mA
VG-4231CE 24.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 3.000 to 3.600 V 1.65+/-1.65V +/-100 ppm +/-140 ppm -20 to +70 °C +/-30 ppm +/-5ppm ≤ 7 mA

X1G0045510008日本EPSON晶振X1G0041411017晶振 X1G0028610013石英晶體振蕩器 X1G0045611003愛(ài)普生晶振 X1G0041411018日本EPSON晶振 X1G0028610024日本SPXO晶振 X1G0045611005石英振蕩子X(jué)1G0041411019愛(ài)普生晶振 X1G0028610042石英晶振 X1G0045611007 石英晶體振蕩器X1G0041411020石英振蕩子X(jué)1G0028610051進(jìn)口有源晶振X1M0003910017日本SPXO晶振X1G0041411602石英晶體振蕩器X1G0036910021普通有源晶振X1M0004010000石英晶振 X1G0041510003日本SPXO晶振 X1G0036910022 晶振 X1G0036910116日本SPXO晶振 X1G0041510004石英晶振X1G0036910034日本EPSON晶振 X1G0036910134石英晶振 X1G0041510007進(jìn)口有源晶振X1G0036910113愛(ài)普生晶振X1G0037710002進(jìn)口有源晶振 X1G0041510009普通有源晶振X1G0036910114石英振蕩子X(jué)1G0039210002普通有源晶振 X1G0041510013晶振X1G0036910115石英晶體振蕩器X1G0041411001晶振X1G0041510016日本EPSON晶振

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