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CO4305-25.000-EXT-T-TR石英晶體振蕩器CO4305-25.000T-TR有源晶振CO4302-40.000-T-EXT-TR進(jìn)口石英晶振CO4305-25.000-T-TR有源晶振CO4305-28.224-EXT-TR進(jìn)口石英晶振CO43025-11.184-TROSC晶振C01100-66.666MHZ進(jìn)口石英晶振CO4305-28.322-T-TROSC晶振CO43025-12.960-TR石英晶振C019100-20.000OSC晶振CO4305-3.6864-EXT-T-TR石英晶振
在不久的將來(lái)翡翠OCXO晶振可用到105℃,并用于編程的串行I²C接口,即使在擴(kuò)展的溫度范圍-40℃至95℃,和-40℃下,OCXO晶振是由恒溫槽控制電路和振蕩器電路構(gòu)成的,通常人們是利用熱敏電阻"電橋"構(gòu)成的差動(dòng)串聯(lián)放大器,來(lái)實(shí)現(xiàn)溫度控制.是利用恒溫槽使晶體振蕩器中石英晶體諧振器的溫度保持恒定,將由周圍溫度變化引起的振蕩器輸出頻率變化量削減到最小的石英晶體振蕩器.
當(dāng)OCXO晶振使用AT切割晶體時(shí),它們使用晶體的上部反轉(zhuǎn)點(diǎn),通常為+85°C.振蕩器電路使得可以將元件精確地設(shè)置在每種情況下使用的晶體的反轉(zhuǎn)點(diǎn).應(yīng)該注意的是,批次中晶體的反轉(zhuǎn)點(diǎn)可能略有不同.為了允許一定的容差,石英晶體振蕩器通常在晶體反轉(zhuǎn)點(diǎn)以下10K處工作.也就是說(shuō),反轉(zhuǎn)點(diǎn)+85°C的晶體僅在+75°C的溫度下使用.顧名思義,SC切割(壓力補(bǔ)償)具有比AT切割更低的應(yīng)力水平.這導(dǎo)致更好的老化(長(zhǎng)期性能)和對(duì)更高晶體控制信號(hào)的彈性,因?yàn)橛捎谳^小的摩擦而產(chǎn)生較小的機(jī)械應(yīng)力和熱量.
除了解決電路板設(shè)計(jì)問(wèn)題外,EmeraldPlatform還在動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性(系統(tǒng)中,存在振動(dòng),沖擊,溫度斜坡)方面設(shè)定了新的性能基準(zhǔn),比石英高出20倍-新5G必備基礎(chǔ)架構(gòu)部署Emerald產(chǎn)品是可編程晶振的,始終可提供1至220MHz的任何頻率,以及一系列頻率穩(wěn)定性,工作溫度,輸出類型和封裝,包括比類似石英OCXO小75％的解決方案.可編程晶振有哪些缺點(diǎn)?沒有技術(shù)限制或缺點(diǎn).最大的挑戰(zhàn)是客戶需要知道這些設(shè)備是可用的.今天我們有10,000個(gè)客戶,但有多達(dá)150,000個(gè)電子產(chǎn)品客戶可以使用我們的產(chǎn)品.
Golledge新型CM9V03-T1A是一款超小型1610貼片晶振封裝32.768K解決方案,采用0.35mm的超薄型封裝.這款水晶具有高抗沖擊和抗振動(dòng)性,采用微型1.6x1.0mm陶瓷封裝,帶金屬蓋.這種晶體的超薄外形使其適用于廣泛的應(yīng)用,包括極其緊密的電路板堆疊.這款小巧的表面貼裝手表晶振可提供軍用和擴(kuò)展工作溫度范圍,并具有最低0.5μW的低驅(qū)動(dòng)電平.
實(shí)際上,每個(gè)電子產(chǎn)品都需要至少一個(gè)精密定時(shí)電路.許多設(shè)備需要多達(dá)10個(gè)獨(dú)立時(shí)鐘.典型的智能手機(jī)或平板電腦最多有五個(gè)振蕩器.直到最近,這些精密定時(shí)電路都基于石英晶體諧振器.現(xiàn)在正在迅速改變.兩家公司,IDT和SiTime,展示了他們最新的MEMS振蕩器如何在許多應(yīng)用中取代石英晶體振蕩器.基于微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的時(shí)鐘和振蕩器正在填充應(yīng)用,其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路匹配,同時(shí)提供更高的可靠性,更高的堅(jiān)固性,更小的尺寸,甚至更低的成本.IDT和SiTime都在提供新的MEMS振蕩器.
TX0456A嘉碩晶振TX0148A石英晶體振蕩器TX0280ATST晶振TX0329A有源晶振TX0338ATST晶振TX0358A臺(tái)灣VCTCXO晶振TX0311A臺(tái)產(chǎn)晶振TX0308A臺(tái)灣VCTCXO晶振TX0397A石英晶振TX0579A壓控溫補(bǔ)晶振TX0438A石英晶振TX0174A臺(tái)灣嘉碩晶振TX0298A石英晶體振蕩器TX0379A臺(tái)灣嘉碩晶振TX0108A有源晶振TX0218ATST晶振TX0460A有源晶振TX0131A臺(tái)產(chǎn)晶振TX0499A臺(tái)灣VCTCXO晶振TX0545A臺(tái)產(chǎn)晶振TX0187A壓控溫補(bǔ)晶振TX0331A石英晶振TX0158A壓控溫補(bǔ)晶振TX0192A石英晶體振蕩器TX0104A臺(tái)灣嘉碩晶振TX0215A石英晶體振蕩器TX0440ATST晶振TX0382A有源晶振TX0225ATST晶振TX0441A臺(tái)灣VCTCXO晶振TX0351A臺(tái)產(chǎn)晶振TX0537A臺(tái)灣VCTCXO晶振TX0159A石英晶振
這些陶瓷RF和IF濾波器的Q值低于石英,其帶寬通常在工作頻率的0.05％到20％之間.通常,隨著技術(shù)的改進(jìn),Q水平在大約500到10000之間或者可能更多.陶瓷諧振器輪廓,陶瓷濾波器的元素格式是一個(gè)簡(jiǎn)單的陶瓷諧振器,其兩側(cè)都有電極.這與單個(gè)石英晶體的行為方式大致相同,但性能水平較低.此外,并聯(lián)和串聯(lián)諧振頻率之間的間隔更大.
Q-SC20S0320570CADF日產(chǎn)SEIKO晶振Q-SC32S0320570CADF小體積貼片晶振Q-SC16S0320570CADF日本精工晶振VT200F-6PF20PPM小體積貼片晶振Q-SC32S0321070CAAF日本精工晶振Q-SC20S03220C5AAAF精工石英晶振VT200F-12.5PF20PPM日本精工晶振Q-SC32S0322070AAAF精工石英晶振
低頻晶體控制振蕩器是指產(chǎn)生20赫～20千赫正弦波信號(hào)的振蕩器(有的定義為產(chǎn)生頻率在0.1赫茲到10赫茲之間交流訊號(hào)的振蕩器).這個(gè)詞通常用在音訊合成中，用來(lái)區(qū)別其他的音訊振蕩器。RF工程師有時(shí)必須尋找能夠可靠,快速地檢查低頻石英晶振單元的儀器.這是一個(gè)難以找到的設(shè)備,工程師經(jīng)常需要查閱電子電路手冊(cè),以獲得執(zhí)行任務(wù)的電路原理圖.
日本電波株式會(huì)社在行業(yè)中具有一定的名氣,自在東京都中央?yún)^(qū)日本橋設(shè)立南部商工株式會(huì)社,并在1949年開始了石英晶振,貼片晶振,溫度補(bǔ)償晶振,壓控晶振等頻率元件的制造,并在不同的領(lǐng)域中提供了高性能的石英晶振.在包含車載在內(nèi)的5G系統(tǒng)為基礎(chǔ)的事業(yè)方面,對(duì)品質(zhì)的要求將比現(xiàn)在更高.不斷通過(guò)研發(fā)創(chuàng)新新的產(chǎn)品會(huì)出世.今天要介紹的是NDK新推出的2016溫補(bǔ)晶振.日本NDK晶振集團(tuán)開發(fā)了一種尺寸為2.0×1.6×0.7毫米的TCXO(溫度補(bǔ)償晶體振蕩器),在100千赫偏移(*2)時(shí)實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高水平的低相位噪聲-170分貝/赫茲.樣品裝運(yùn)將于2019年7月開始.
Q-Tech Crystal在美國(guó)加利福尼亞州卡爾弗城的35,000平方英尺的工廠內(nèi)運(yùn)營(yíng),通過(guò)了AS9100和ISO9001質(zhì)量管理體系認(rèn)證.公司在北美,歐洲和亞洲均設(shè)有銷售部門,業(yè)務(wù)遍及全球.Q-Tech以其在體聲波(BAW)和表面聲波(SAW)器件方面的尖端設(shè)計(jì)和制造能力而聞名.它不斷致力于研究和開發(fā)關(guān)鍵頻率控制技術(shù),從而改進(jìn)了更高頻率,小型化,低成本和新設(shè)計(jì)的領(lǐng)域.
SITIME晶振微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)kHz振蕩器是極小的低功耗32kHz器件,針對(duì)移動(dòng)和其他電池供電應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化.硅MEMS技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超小尺寸和芯片級(jí)封裝.這些器件可實(shí)現(xiàn)更大的元件布局靈活性,并消除了外部負(fù)載電容,從而節(jié)省了額外的元件數(shù)量和電路板空間.SiTime采用NanoDrive™技術(shù),這是一種工廠可編程輸出,可降低電壓擺幅,從而最大限度地降低功耗.還提供TempFlatMEMS™技術(shù),該技術(shù)可在1.2mmx1.2mm的封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)首個(gè)32kHz±3百萬(wàn)分之一(ppm)超級(jí)TCXO.SiTime的MEMS振蕩器包括一個(gè)MEMS諧振器和一個(gè)可編程模擬電路.kHzMEMS諧振器采用SiTime獨(dú)特的MEMSFirst™工藝.關(guān)鍵制造步驟是EpiSeal™,在此期間MEMS諧振器的退火溫度超過(guò)+1000°C.EpiSeal創(chuàng)造了一個(gè)極其牢固,干凈的真空室來(lái)封裝MEMS諧振器,可確保最佳的性能和可靠性
英特爾還透露了全新專門面向5G無(wú)線接入和邊緣計(jì)算的,基于10納米制程工藝的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)芯片（研發(fā)代號(hào)：“SnowRidge”）,持續(xù)加強(qiáng)對(duì)于網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域的長(zhǎng)期投資.據(jù)悉,這款網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)芯片計(jì)劃將英特爾架構(gòu)引入無(wú)線接入基站,并允許更多計(jì)算功能在網(wǎng)絡(luò)邊緣進(jìn)行分發(fā),LVDS輸出晶振發(fā)揮了十分重要的作用.
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