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什么是差分輸出?差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達(dá)到低值1V,工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動(dòng)差分晶體振蕩器是目前行業(yè)中具有高要求,高技術(shù)的石英晶體振蕩器,差分晶振,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達(dá)到低值1V,工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達(dá)到的,差分晶振具有低電平,低抖動(dòng),低功耗等特性.
從歷史上看,為了達(dá)到這種水平的相位噪聲,振蕩器制造商依靠SC-Cut晶體或第5或第7泛音AT-Cut晶體作為參考石英晶體振蕩器解決方案.前者產(chǎn)生的OCXO體積龐大,功耗過大而且相當(dāng)昂貴.后者實(shí)施起來很復(fù)雜,頻率提供有限,并且抑制了系統(tǒng)自動(dòng)校正老化和溫度漂移的能力.前最先進(jìn)的通信電路,例如微波頻率上變頻器,點(diǎn)對(duì)點(diǎn)μwave回程,衛(wèi)星調(diào)制解調(diào)器,高端網(wǎng)絡(luò)設(shè)備以及測(cè)試和測(cè)量?jī)x器等,都有一個(gè)問題.;極低的相位噪聲頻率參考.
Golledge新型CM9V03-T1A是一款超小型1610貼片晶振封裝32.768K解決方案,采用0.35mm的超薄型封裝.這款水晶具有高抗沖擊和抗振動(dòng)性,采用微型1.6x1.0mm陶瓷封裝,帶金屬蓋.這種晶體的超薄外形使其適用于廣泛的應(yīng)用,包括極其緊密的電路板堆疊.這款小巧的表面貼裝手表晶振可提供軍用和擴(kuò)展工作溫度范圍,并具有最低0.5μW的低驅(qū)動(dòng)電平.
VCXO振蕩器是一種頻率控制器件,當(dāng)輸入電壓變化時(shí),它可以改變輸出頻率.在為任何應(yīng)用選擇VCXO時(shí),必須考慮許多器件性能規(guī)格.本應(yīng)用筆記試圖闡明關(guān)鍵的VCXO特定性能規(guī)格,并說明與在應(yīng)用程序中使用VCXO相關(guān)的一些權(quán)衡.控制電壓帶寬,有時(shí)稱為"調(diào)制速率"或"調(diào)制帶寬",是輸出頻率跟蹤輸入電壓變化的速率.輸出頻率變化與輸入電壓變化之比(以前用Kv表示)在大多數(shù)VCXOs中具有低通特性.調(diào)制速率定義為在相同電壓范圍內(nèi)掃描的DC輸入的Kv相對(duì)于Kv降低3dB的調(diào)制速率.
我們的硅是石英晶體振蕩器設(shè)備質(zhì)量的1/3000,因此耦合到我們?cè)O(shè)備上的振動(dòng)能量要低得多,這使得它們對(duì)振動(dòng)和其他環(huán)境條件更具免疫力,"SiTime晶振營(yíng)銷副總裁PiyushSevalia說.該公司認(rèn)為,它在MEMS振蕩器中占有90%的市場(chǎng)份額,這是時(shí)序市場(chǎng)中增長(zhǎng)最快的部分,盡管它們通常比晶體設(shè)備更昂貴.
Jauch晶振公司在位于Villingen-Schwenningen的總部投資了生產(chǎn)設(shè)施,以便及時(shí)滿足全球客戶的需求:石英晶體振蕩器在我們自己的生產(chǎn)設(shè)施中進(jìn)行配置和交付,注重及時(shí)性.用于電池解決方案的現(xiàn)代電池組裝線具有高技術(shù)要求,可確保為醫(yī)療,家庭和園藝設(shè)備,移動(dòng)電話,移動(dòng)運(yùn)輸和汽車行業(yè)生產(chǎn)單個(gè)電池組.
用于大多數(shù)電子應(yīng)用的主時(shí)序控制電路是精密信號(hào)源.對(duì)于數(shù)字應(yīng)用,它是一個(gè)精確的時(shí)鐘晶體振蕩器.在RF應(yīng)用中,它是發(fā)送器的載波源或接收器的本地振蕩器(LO).如果涉及頻率調(diào)制(FM),則需要調(diào)制器和解調(diào)器以及載波源.在所有這些情況下,鎖相環(huán)(PLL)頻率合成器是一個(gè)很好的選擇.它不僅提供了所需的精度和準(zhǔn)確度,還提供了一種靈活的頻率變化方式.
康比電子介紹的該篇報(bào)告深入介紹了全球電壓控制晶體振蕩器(VCXO)市場(chǎng),涵蓋了其所有重要方面.這包括市場(chǎng)的宏觀概述,行業(yè)表現(xiàn)的微觀細(xì)節(jié),近期趨勢(shì),主要市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)因素和挑戰(zhàn),SWOT分析,波特五力分析,價(jià)值鏈分析等.此報(bào)告是企業(yè)家,投資者必讀的內(nèi)容.,研究人員,顧問,商業(yè)戰(zhàn)略家以及所有那些擁有任何利益或計(jì)劃以任何方式進(jìn)軍壓控晶體振蕩器(VCXO)市場(chǎng)的人.
TX0456A嘉碩晶振TX0148A石英晶體振蕩器TX0280ATST晶振TX0329A有源晶振TX0338ATST晶振TX0358A臺(tái)灣VCTCXO晶振TX0311A臺(tái)產(chǎn)晶振TX0308A臺(tái)灣VCTCXO晶振TX0397A石英晶振TX0579A壓控溫補(bǔ)晶振TX0438A石英晶振TX0174A臺(tái)灣嘉碩晶振TX0298A石英晶體振蕩器TX0379A臺(tái)灣嘉碩晶振TX0108A有源晶振TX0218ATST晶振TX0460A有源晶振TX0131A臺(tái)產(chǎn)晶振TX0499A臺(tái)灣VCTCXO晶振TX0545A臺(tái)產(chǎn)晶振TX0187A壓控溫補(bǔ)晶振TX0331A石英晶振TX0158A壓控溫補(bǔ)晶振TX0192A石英晶體振蕩器TX0104A臺(tái)灣嘉碩晶振TX0215A石英晶體振蕩器TX0440ATST晶振TX0382A有源晶振TX0225ATST晶振TX0441A臺(tái)灣VCTCXO晶振TX0351A臺(tái)產(chǎn)晶振TX0537A臺(tái)灣VCTCXO晶振TX0159A石英晶振
壓控晶體振蕩器,VCXO可用于許多RF電路,其中需要晶體振蕩器或xtal振蕩器的穩(wěn)定性,但能夠拉動(dòng)或調(diào)節(jié)它們少量.使用VCXO可實(shí)現(xiàn)高水平的穩(wěn)定性并實(shí)現(xiàn)低水平的相位噪聲.通常VCXO用于可能需要對(duì)信號(hào)進(jìn)行小的可編程調(diào)整的情況,例如作為電子系統(tǒng)內(nèi)的參考信號(hào).這里VCXO可以使用從數(shù)字信號(hào)得到的電壓來編程..
Q-SC20S0320570CADF日產(chǎn)SEIKO晶振Q-SC32S0320570CADF小體積貼片晶振Q-SC16S0320570CADF日本精工晶振VT200F-6PF20PPM小體積貼片晶振Q-SC32S0321070CAAF日本精工晶振Q-SC20S03220C5AAAF精工石英晶振VT200F-12.5PF20PPM日本精工晶振Q-SC32S0322070AAAF精工石英晶振
VCXO振蕩器是具有輸出信號(hào)的振蕩器,其輸出可以在一定范圍內(nèi)變化,該范圍由輸入DC電壓控制.它是一個(gè)振蕩器,其輸出頻率與其輸入端的電壓直接相關(guān).振蕩頻率從幾赫茲到幾百GHz不等.通過改變輸入DC電壓,調(diào)節(jié)產(chǎn)生的信號(hào)的輸出頻率.
當(dāng)以上兩個(gè)概念結(jié)合在一起時(shí),啟用/禁用互補(bǔ)差分晶體振蕩器,結(jié)果是一個(gè)禁用的輸出對(duì),邏輯上有一個(gè)輸出高電平(通過器件的內(nèi)部電阻連接到Vcc),另一個(gè)輸出為a邏輯低狀態(tài)(輸出晶體管關(guān)斷).因?yàn)榇蠖鄶?shù)啟用/禁用輸出用于自動(dòng)測(cè)試設(shè)備將測(cè)試信號(hào)注入被測(cè)電路,目標(biāo)是在任何情況下都要與輸出信號(hào)斷開連接.
隨著石英晶振的需求量逐漸的增長(zhǎng),其要求和質(zhì)量等方面的要求也高起來.寶石中的水晶比較熟悉.它們被用于傳統(tǒng)工藝品,珠寶,甚至神秘的水晶球.但石英晶體也是現(xiàn)代生活方式的關(guān)鍵對(duì)象,它們?cè)谥悄?/span>手機(jī)和其他手機(jī),數(shù)碼相機(jī)和汽車電子產(chǎn)品中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用.下面將介紹大河晶振的相關(guān)技術(shù)資料.
SITIME晶振微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)kHz振蕩器是極小的低功耗32kHz器件,針對(duì)移動(dòng)和其他電池供電應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化.硅MEMS技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超小尺寸和芯片級(jí)封裝.這些器件可實(shí)現(xiàn)更大的元件布局靈活性,并消除了外部負(fù)載電容,從而節(jié)省了額外的元件數(shù)量和電路板空間.SiTime采用NanoDrive™技術(shù),這是一種工廠可編程輸出,可降低電壓擺幅,從而最大限度地降低功耗.還提供TempFlatMEMS™技術(shù),該技術(shù)可在1.2mmx1.2mm的封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)首個(gè)32kHz±3百萬(wàn)分之一(ppm)超級(jí)TCXO.SiTime的MEMS振蕩器包括一個(gè)MEMS諧振器和一個(gè)可編程模擬電路.kHzMEMS諧振器采用SiTime獨(dú)特的MEMSFirst™工藝.關(guān)鍵制造步驟是EpiSeal™,在此期間MEMS諧振器的退火溫度超過+1000°C.EpiSeal創(chuàng)造了一個(gè)極其牢固,干凈的真空室來封裝MEMS諧振器,可確保最佳的性能和可靠性