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Si531差分晶振|6G無線網(wǎng)絡(luò)晶振|531FC156M250DG|Silicon低電流振蕩器

頻率:156.25MHZ

尺寸:7.00x5.00mm

Si531差分晶振|6G無線網(wǎng)絡(luò)晶振|531FC156M250DG|Silicon低電流振蕩器,尺寸7.00x5.00mm,頻率156.25MHZ,輸出邏輯LVDS,電壓2.5V,頻率穩(wěn)定性7ppm,腳位6-SMD,XO時(shí)鐘振蕩器(標(biāo)準(zhǔn)),LVDS輸出晶振,LVDS差分晶體振蕩器,石英晶體振蕩器,有源晶振,進(jìn)口有源晶振,歐美進(jìn)口晶振,7050mm有源振蕩器,六腳貼片差分晶振,6G無線網(wǎng)絡(luò)差分晶振,低電壓差分晶振,低功耗差分晶振,低相位差分晶振,高性能差分晶振,視頻專用晶振,產(chǎn)品很適合用于超聲波/SDH,網(wǎng)絡(luò),SD/HD視頻,測(cè)試和測(cè)量,時(shí)鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù),F(xiàn)PGA/ASIC時(shí)鐘生成等領(lǐng)域.

Si530/531 XO有源晶振采用Skyworks Solutions的先進(jìn)DSPLL®電路以提供高頻下的低抖動(dòng)時(shí)鐘。Si530/531可用具有從10到945MHz的任意速率輸出頻率,并選擇頻率1400兆赫。與傳統(tǒng)XO不同,在傳統(tǒng)XO中每個(gè)輸出頻率,Si530/531使用一個(gè)固定晶體來提供寬范圍的輸出頻率。這種基于IC的方法允許晶體諧振器,提供卓越的頻率穩(wěn)定性和可靠性。Si531差分晶振|6G無線網(wǎng)絡(luò)晶振|531FC156M250DG|Silicon低電流振蕩器.


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Si531差分晶振|6G無線網(wǎng)絡(luò)晶振|531FC156M250DG|Silicon低電流振蕩器,尺寸7.00x5.00mm,頻率156.25MHZ,輸出邏輯LVDS,電壓2.5V,頻率穩(wěn)定性7ppm,腳位6-SMD,XO時(shí)鐘振蕩器(標(biāo)準(zhǔn)),LVDS輸出晶振,LVDS差分晶體振蕩器,石英晶體振蕩器,有源晶振,進(jìn)口有源晶振,歐美進(jìn)口晶振,7050mm有源振蕩器,六腳貼片差分晶振,6G無線網(wǎng)絡(luò)差分晶振,低電壓差分晶振,低功耗差分晶振,低相位差分晶振,高性能差分晶振,視頻專用晶振,產(chǎn)品很適合用于超聲波/SDH,網(wǎng)絡(luò),SD/HD視頻,測(cè)試和測(cè)量,時(shí)鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù),F(xiàn)PGA/ASIC時(shí)鐘生成等領(lǐng)域.

Si530/531 XO有源晶振采用Skyworks Solutions的先進(jìn)DSPLL®電路以提供高頻下的低抖動(dòng)時(shí)鐘。Si530/531可用具有從10到945MHz的任意速率輸出頻率,并選擇頻率1400兆赫。與傳統(tǒng)XO不同,在傳統(tǒng)XO中每個(gè)輸出頻率,Si530/531使用一個(gè)固定晶體來提供寬范圍的輸出頻率。這種基于IC的方法允許晶體諧振器,提供卓越的頻率穩(wěn)定性和可靠性。Si531差分晶振|6G無線網(wǎng)絡(luò)晶振|531FC156M250DG|Silicon低電流振蕩器.

Si531差分晶振|6G無線網(wǎng)絡(luò)晶振|531FC156M250DG|Silicon低電流振蕩器       參數(shù)表

Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Supply Voltage1 V DD 3.3 V option 2.97 3.3 3.63 V
2.5 V option 2.25 2.5 2.75 V
1.8 V option 1.71 1.8 1.89 V
Supply Current IDD Output enabled
LVPECL
CML
LVDS
CMOS



111
99
90
81
121
108
98
88
mA
Tristate mode 60 75 mA
Output Enable (OE)2 VIH 0.75 x V DD V
VIL 0.5 V
Operating Temperature Range TA –40 85 ºC
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Nominal Frequency1,2 fO LVPECL/LVDS/CML 10 945 MHz
CMOS 10 160 MHz
Initial Accuracy fi Measured at +25 °C at time of
shipping
±1.5 ppm
Temperature Stability1,3 –7
–20
–50
  
  
+7
+20
+50
ppm
Aging fa Frequency drift over first year ±3 ppm
Frequency drift over 20 year
life
±10 ppm
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Total Stability Temp stability = ±7 ppm ±20 ppm
Temp stability = ±20 ppm ±31.5 ppm
Temp stability = ±50 ppm         ±61.5 ppm
Powerup Time4 tOSC         10 ms
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
LVPECL Output Option1 VO mid-level V DD – 1.42 V DD – 1.25 V
VOD swing (diff) 1.1 1.9 VPP
VSE swing (single-ended) 0.55 0.95 VPP
LVDS Output Option2 VO mid-level 1.125 1.20 1.275 V
VOD swing (diff) 0.5 0.7 0.9 VPP
CML Output Option2 VO 2.5/3.3 V option mid-level     V DD – 1.30     V
1.8 V option mid-level     V DD – 0.36     V
VOD 2.5/3.3 V option swing (diff) 1.10 1.50 1.90 VPP
1.8 V option swing (diff) 0.35 0.425 0.50 VPP
CMOS Output Option3 V OH I OH= 32 mA 0.8 x V DD     V DD V
VOL I OL= 32 mA         0.4 V
Rise/Fall time (20/80%) tR,t F LVPECL/LVDS/CML         350 ps
CMOS with CL= 15 pF     1     ns
Symmetry (duty cycle) SYM LVPECL:
(diff)
LVDS:
CMOS:
V DD – 1.3 V

1.25 V (diff)
V DD/2
45     55 %

Si531差分晶振|6G無線網(wǎng)絡(luò)晶振|531FC156M250DG|Silicon低電流振蕩器   尺寸圖Si530 Si531

OSC晶振產(chǎn)品特征:

可用于任何速率的輸出

頻率從10兆赫到945兆赫

并選擇1.4 GHz的頻率

集成superior的第三代DSPLL

抖動(dòng)性能 頻率穩(wěn)定性比高3倍

基于SAW的振蕩器

內(nèi)部固定晶振頻率

確保高可靠性和低老化

可用的CMOS、LVPECL、 LVDS和CML輸出

3.3、2.5和1.8 V電源選項(xiàng)

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)5 x 7毫米

封裝和引腳排列

無鉛/符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)Si530 Si531 1

Si530 Si531 2更多相關(guān)Silicon晶振型號(hào)

原廠代碼 品牌 型號(hào) 頻率 電壓 頻率穩(wěn)定度
511ABA155M520AAG Silicon振蕩器 Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510FBA148M500AAG Silicon振蕩器 Si510 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511BBA155M520AAG Silicon振蕩器 Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510BBA148M500AAG Silicon振蕩器 Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
510ABA148M500AAG Silicon振蕩器 Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
510DBA100M000AAG Silicon振蕩器 Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
531AC125M000DG Silicon振蕩器 Si531 125MHz 3.3V ±7ppm
531FC125M000DG Silicon振蕩器 Si531 125MHz 2.5V ±7ppm
530AC156M250DG Silicon振蕩器 Si530 156.25MHz 3.3V ±7ppm
531FC156M250DG Silicon振蕩器 Si531 156.25MHz 2.5V ±7ppm
531FC148M500DG Silicon振蕩器 Si531 148.5MHz 2.5V ±7ppm
531AC155M520DG Silicon振蕩器 Si531 155.52MHz 3.3V ±7ppm
530AC155M520DG Silicon振蕩器 Si530 155.52MHz 3.3V ±7ppm
531BC155M520DG Silicon振蕩器 Si531 155.52MHz 3.3V ±7ppm
531FC200M000DG Silicon振蕩器 Si531 200MHz 2.5V ±7ppm
530BC148M500DG Silicon振蕩器 Si530 148.5MHz 3.3V ±7ppm
536EB156M250DG Silicon振蕩器 Si536 156.25MHz 2.5V ±20ppm
536BB125M000DG Silicon振蕩器 Si536 125MHz 3.3V ±20ppm
531AC622M080DG Silicon振蕩器 Si531 622.08MHz 3.3V ±7ppm
531AC312M500DG Silicon振蕩器 Si531 312.5MHz 3.3V ±7ppm
510ABA000149BAG Silicon振蕩器 Si510 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510BBA000149BAG Silicon振蕩器 Si510 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
511FBA000149BAG Silicon振蕩器 Si511 74.175824MHz 2.5V ±25ppm
510ABA106M250BAG Silicon振蕩器 Si510 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA106M250BAG Silicon振蕩器 Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA74M2500BAG Silicon振蕩器 Si511 74.25MHz 2.5V ±25ppm
511ABA000149BAG Silicon振蕩器 Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510FBA000149BAG Silicon振蕩器 Si510 74.175824MHz 2.5V ±25ppm
510ABA74M2500BAG Silicon振蕩器 Si510 74.25MHz 3.3V ±25ppm
510FBA000149AAG Silicon振蕩器 Si510 74.175824MHz 2.5V ±25ppm
510ABA125M000AAG Silicon振蕩器 Si510 125MHz 3.3V ±25ppm
510ABA106M250AAG Silicon振蕩器 Si510 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA106M250AAG Silicon振蕩器 Si511 106.25MHz 2.5V ±25ppm
510ABA74M2500AAG Silicon振蕩器 Si510 74.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA000149AAG Silicon振蕩器 Si511 74.175824MHz 2.5V ±25ppm
510BBA000149AAG Silicon振蕩器 Si510 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510ABA000149AAG Silicon振蕩器 Si510 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510FBA74M2500AAG Silicon振蕩器 Si510 74.25MHz 2.5V ±25ppm
511ABA74M2500AAG Silicon振蕩器 Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA106M250AAG Silicon振蕩器 Si510 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA000149AAG Silicon Crystal Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510BBA74M2500AAG Silicon振蕩器 Si510 74.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA74M2500AAG Silicon振蕩器 Si511 74.25MHz 2.5V ±25ppm
510FBA106M250AAG Silicon振蕩器 Si510 106.25MHz 2.5V ±25ppm
511BBA000149AAG Silicon振蕩器 Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510ABA155M520BAG Silicon振蕩器 Si510 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510FBA155M520BAG Silicon振蕩器 Si510 155.52MHz 2.5V ±25ppm
511FBA155M520BAG Silicon振蕩器 Si511 155.52MHz 2.5V ±25ppm
510ABA000110BAG Silicon振蕩器 Si510 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
511ABA000110BAG Silicon振蕩器 Si511 148.35165MHz 3.3V ±25ppm

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