頻率：15.476~1300MHz
尺寸：7.0*5.0mm
IDT晶振集團 提供石英晶體振蕩器 (XO) 和 FemtoClock® NG 可編程振蕩器,能滿足幾乎任何應用的需求. XL 和 XU 晶體振蕩器產品系列是高性能、低抖動時鐘源,具有低至 300 fs 的典型 RMS 相位抖動,并可提供多種頻率、性能級別、輸出類型、穩(wěn)定性、輸入電壓、封裝、引腳配置和溫度等級. 對于尋求在標準振蕩器封裝中提供高性能和無可比擬的靈活性的時鐘源的高級系統(tǒng)設計者而言,FemtoClock NG 器件是他們的理想選擇.
IDT晶振,貼片晶振,8N3DV85晶振 ,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域,因產品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
晶振的研發(fā)及生產超小型石英晶振完成晶片的設計特別是外形尺寸的設計是首要需解決的技術問題，公司在此方面通過理論與實踐相結合，模擬出一整套此石英晶振晶片設計的計算機程序，該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應用并取得很好的效果。
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型號 |
符號 |
8N3DV85(7050) |
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輸出規(guī)格 |
- |
LV-PECL |
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輸出頻率范圍 |
fo |
15.476~1300MHz |
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電源電壓 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
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頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
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保存溫度范圍 |
T_stg |
-40?+85℃ |
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運行溫度范圍 |
T_use |
-10?+70℃ ,-40?+85℃ |
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消耗電流 |
ICC |
45mA max. (fo≦170MHz) |
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待機時電流（＃1引腳"L"） |
I_std |
10μA max. |
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輸出負載 |
Load-R |
50Ω to VCC-2V |
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波形對稱 |
SYM |
45?55% [at outputs cross point] |
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0電平電壓 |
VOL |
VCC-1.81?VCC-1.62V |
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1電平電壓 |
VOH |
VCC-1.025?VCC-0.88V |
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上升時間 下降時間 |
tr, tf |
0.5ns max. [20?80% Output, OutputN] |
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差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
- |
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差分輸出誤差 |
⊿VOD |
- |
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補償電壓 |
VOS |
- |
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補償電壓誤差 |
⊿VOS |
- |
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交叉點電壓 |
Vcr |
- |
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OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
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OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
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輸出禁用時間 |
tPLZ |
200ns |
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輸出使能時間 |
tPZL |
2ms |
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周期抖動（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
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tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
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總抖動（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
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相位抖動 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
石英晶振自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產品特性并影響這些產品。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產品未撞擊機器或其他電路板等。
產品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會導致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂（開裂）,也可能導致氣密性和產品特性受到破壞。當石英晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時,應在這種場景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當該引腳需修復時,請勿拉伸,托住彎曲部分進行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會導致氣密性受到損壞。所以在此處請不要施加壓力。另外,為避負機器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產品固在定電路板上。
IDT晶振環(huán)保方針:
IDT晶振集團盡可能的采用無害的石英晶振,貼片晶振,壓電石英晶體原材料和生產技術,避免有害物質的產生,比如消耗臭氧層物質、溫室氣體及其它污染物.集團公司同時將致力于這些物質的收集和回收,最小化有害原料的使用.IDT 晶振環(huán)境影響的最小化：遵照社會的期望,改進我們的環(huán)境行為,我們將通過有效利用森林、能源以及其它資源,減少各種形式的廢物來實現(xiàn)這一承諾.
環(huán)境管理體系：在每一個運行部門,實施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當的人力資源和充分的財力保障.每年我們都將建立可測量的環(huán)境管理以及行為改進的目標和指標. 環(huán)境行為評價：評價我們運行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認支撐著本方針的成績.我們將向我們的員工提供信息,以及能夠將方針與各自工作職責完全結合的培訓.IDT晶振,貼片晶振,8N3DV85晶振.
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