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2016MM晶振金屬封裝晶振的制作方法

2018-10-23 14:33:55 

本實(shí)用新型屬電子技術(shù)領(lǐng)域.特別是涉及一種尺寸結(jié)構(gòu)予以小型化的金屬封裝晶振.

隨著消費(fèi)性電子產(chǎn)品(如手機(jī),MP3等)的迅速發(fā)展.以及IC智能卡應(yīng)用的普及.制造廠商提出更加小型化的晶振需求.先前產(chǎn)品已經(jīng)不能滿足顧客需要.雖然金屬封裝晶振的體積較小.但其價格較為昂貴.開發(fā)一種體積小.成本低的封裝貼片晶振具有廣闊的前景.

2016MM晶振金屬封裝晶振的制作方法

該篇文章主要所講的是關(guān)于實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供小型化的超小型金屬封裝晶振.來滿足消費(fèi)性電子產(chǎn)品市場的應(yīng)用需求.應(yīng)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種金屬封裝石英晶振.包括基座和上蓋.所述的基座為陶瓷基座.所述的上蓋為金屬上蓋.基座內(nèi)部置入鍍銀電極水晶芯片.以導(dǎo)電膠將芯片黏著在基座內(nèi)部電極上.內(nèi)部電極線路連接著基座外部電極.通過陶瓷基座上的金屬環(huán)將基座及上蓋進(jìn)行封合.所述的金屬封裝晶振的體積為2016MM晶振.有益效果小型化金屬封裝晶振的體積為2.0X1.6X0.5mm.大幅降低了石英晶體諧振器體積.并保持了高頻率精度,穩(wěn)定度及密封性.可廣泛應(yīng)用于小型化的電子產(chǎn)品中.

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施例.進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型.應(yīng)理解.這些實(shí)施例僅用于說明本實(shí)用新型而不用于限制本實(shí)用新型的范圍.此外應(yīng)理解.在閱讀了本實(shí)用新型講授的內(nèi)容 之后.本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對本實(shí)用新型作各種改動或修改.這些等價形式同樣落于本申 請所附權(quán)利要求書所限定的范圍.本實(shí)用新型包括基座和上蓋.基座為陶瓷基座1.上蓋為金屬上蓋2. 基座內(nèi)部置入鍍銀電極水晶芯片3.以導(dǎo)電膠4將芯片黏著在基座內(nèi)部電極上.

內(nèi)部電極線路連接著基座外部電極.通過陶瓷基座上的金屬環(huán)將基座及上蓋進(jìn)行封合.金屬封裝貼片晶振的體積為2.0X1.6X0.5mm.下面是開發(fā)前后晶振尺寸對比晶振體積(mm3)開發(fā)前后體積比開發(fā)后(2.0*1.6*0.5)開發(fā)前3225晶振

2016MM晶振金屬封裝晶振的制作方法

1.一種金屬封裝晶振.包括基座和上蓋.其特征在于所述的基座為陶瓷基座

(1).所述的上蓋為金屬上蓋

(2).基座內(nèi)部置入鍍銀電極水晶芯片

(3).以導(dǎo)電膠

(4)將芯片黏著在基座內(nèi)部電極上.內(nèi)部電極線路連接著基座外部電極.通過陶瓷基座上的金屬環(huán)

(5)將基座及上蓋進(jìn)行封合.

2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金屬封裝晶振.其特征在于所述的金屬封裝晶振的體積為2.0Xl.6X0.5mm.

專利摘要本實(shí)用新型涉及一種金屬封裝晶振.包括基座和上蓋.所述的基座為陶瓷基座

所述的金屬封裝晶振的體積為2016MM晶振.本實(shí)用新型大幅降低了晶體諧振器體積.并保持了高頻率精度,穩(wěn)定度及密封性.可廣泛應(yīng)用于小型化的電子產(chǎn)品中.該篇文章康比電子主要所講的是關(guān)于實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供小型化的超小型金屬封裝晶振.來滿足消費(fèi)性電子產(chǎn)品市場的應(yīng)用需求.應(yīng)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種金屬封裝石英晶振.

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