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Transko新品發(fā)布TSVD系列超低相位噪聲VCXO

2026-03-02 17:36:46 康比電子

Transko新品發(fā)布TSVD系列超低相位噪聲VCXO

TSVD系列作為Transko面向高端同步場(chǎng)景精心打造的超低相位噪聲VCXO新品,立足5G基站,高速光模塊,相控陣?yán)走_(dá),衛(wèi)星導(dǎo)航,精密測(cè)試儀器等對(duì)時(shí)頻信號(hào)純凈度與頻率可調(diào)性要求極高的核心場(chǎng)景,核心亮點(diǎn)在于實(shí)現(xiàn)了超低相位噪聲與高精度壓控性能的雙重突破性升級(jí),徹底解決了傳統(tǒng)VCXO"相位噪聲高,壓控線性差,頻率微調(diào)精度不足,寬溫域性能不穩(wěn)定"的行業(yè)痛點(diǎn).該系列采用行業(yè)通用的標(biāo)準(zhǔn)化SMD封裝(3.2mm×2.5mm/5.0mm×3.2mm雙規(guī)格可選),既兼顧了各類高端電子設(shè)備的集成靈活性,無需客戶對(duì)現(xiàn)有PCB板設(shè)計(jì)進(jìn)行大幅調(diào)整,降低集成成本,又通過核心技術(shù)的系統(tǒng)性革新,精準(zhǔn)彌補(bǔ)了國(guó)內(nèi)高端VCXO在相位噪聲,壓控線性度,頻率穩(wěn)定性等關(guān)鍵指標(biāo)上的性能短板,可直接對(duì)標(biāo)國(guó)際巨頭同類產(chǎn)品,甚至在近端相位噪聲,壓控精度等核心指標(biāo)上實(shí)現(xiàn)超越,充分彰顯了Transko在高端VCXO領(lǐng)域的頂尖創(chuàng)新實(shí)力與推動(dòng)國(guó)產(chǎn)化替代的堅(jiān)定決心.與傳統(tǒng)VCXO進(jìn)口壓控晶振產(chǎn)品相比,TSVD系列不僅實(shí)現(xiàn)了極致的低相位噪聲表現(xiàn),更在壓控范圍,壓控線性度,環(huán)境適應(yīng)性,低功耗等方面實(shí)現(xiàn)全面優(yōu)化,完美適配高端電子設(shè)備對(duì)時(shí)頻基準(zhǔn)的嚴(yán)苛要求,為高端電子設(shè)備的穩(wěn)定同步運(yùn)行筑牢核心時(shí)頻支撐,助力客戶提升終端產(chǎn)品的核心競(jìng)爭(zhēng)力.

(一)四大核心技術(shù)革新,鑄就低噪+壓控雙優(yōu)產(chǎn)品實(shí)力

TSVD系列之所以能在超低相位噪聲與精準(zhǔn)壓控方面實(shí)現(xiàn)雙重突破,核心得益于Transko在高Q值晶體制備,低噪聲電路集成,高精度壓控調(diào)控,真空密封封裝四大核心領(lǐng)域的系統(tǒng)性技術(shù)革新,結(jié)合VCXO核心工作原理與前沿技術(shù)路徑,構(gòu)建起"高Q晶體支撐+低噪電路集成+精準(zhǔn)壓控+真空封裝"的全鏈條技術(shù)體系,通過晶體性能優(yōu)化,電路干擾抑制,壓控精度升級(jí),環(huán)境影響隔離的全流程優(yōu)化,既實(shí)現(xiàn)了相位噪聲的極致抑制,又保障了頻率微調(diào)的精準(zhǔn)性與線性度,徹底解決了傳統(tǒng)VCXO"信號(hào)雜散多,相位抖動(dòng)大,壓控偏差大,環(huán)境適應(yīng)性差"的行業(yè)痛點(diǎn),為高端同步場(chǎng)景提供穩(wěn)定,純凈,可精準(zhǔn)調(diào)控的時(shí)頻信號(hào).這四大核心技術(shù)相互協(xié)同,層層賦能,既延續(xù)了Transko"高可靠,長(zhǎng)壽命,高精度"的產(chǎn)品基因,又針對(duì)超低相位噪聲VCXO的核心痛點(diǎn)進(jìn)行專項(xiàng)優(yōu)化,成為TSVD系列立足高端市場(chǎng),打造性能標(biāo)桿的核心競(jìng)爭(zhēng)力.

在高Q值晶體制備方面,晶體作為VCXO的核心振蕩單元,其Q值(品質(zhì)因數(shù))直接決定了振蕩器的相位噪聲水平與頻率穩(wěn)定性,傳統(tǒng)晶體在高頻工作時(shí)易出現(xiàn)Q值下降,振動(dòng)噪聲增大等問題,直接影響VCXO的低噪表現(xiàn)與壓控精度.TSVD系列采用Transko自主研發(fā)的高Q值石英晶體加工技術(shù),選用純度高達(dá)99.999%以上的高純度人工合成石英晶體,采用SC切割工藝(相較于傳統(tǒng)AT切型晶體,SC切割晶體具備更優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性與低噪聲特性),通過高精度拋光與應(yīng)力消除處理,優(yōu)化晶體諧振結(jié)構(gòu),減少晶體內(nèi)部缺陷與振動(dòng)損耗,大幅提升晶體Q值,確保晶體在高頻工作狀態(tài)下依然具備穩(wěn)定的諧振特性與極低的振動(dòng)噪聲.同時(shí),通過長(zhǎng)達(dá)1800小時(shí)的高溫,低溫交替老化處理,有效消除晶體內(nèi)部應(yīng)力,進(jìn)一步降低晶體熱噪聲與振動(dòng)噪聲,相較于傳統(tǒng)VCXO所用晶體,TSVD系列的晶體Q值提升60%以上,振動(dòng)噪聲降低50%,為產(chǎn)品的超低相位噪聲表現(xiàn)與精準(zhǔn)壓控性能奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ),從源頭保障時(shí)頻信號(hào)的純凈度與可調(diào)精度.

在低噪聲電路集成方面,針對(duì)高端場(chǎng)景對(duì)時(shí)頻信號(hào)純凈度的嚴(yán)苛要求,以及傳統(tǒng)VCXO在高頻工作時(shí)易出現(xiàn)電磁干擾,相位抖動(dòng),且壓控電路與振蕩電路相互干擾的問題,Transko特蘭斯科SMD晶振研發(fā)團(tuán)隊(duì)借鑒前沿亞采樣鎖相環(huán)架構(gòu)理念,采用低噪聲電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),自主研發(fā)高精度振蕩電路與多級(jí)自適應(yīng)濾波電路,精選超高頻低噪聲元器件,優(yōu)化電路布局,縮短信號(hào)傳輸路徑,有效抑制電磁干擾(EMI),熱噪聲與電源噪聲,大幅降低產(chǎn)品相位噪聲.同時(shí),創(chuàng)新采用"振蕩與壓控電路隔離設(shè)計(jì)",避免壓控電壓調(diào)節(jié)過程中對(duì)振蕩電路產(chǎn)生干擾,確保相位噪聲穩(wěn)定;集成高穩(wěn)定性穩(wěn)壓電源模塊與輸出緩沖器,穩(wěn)壓電源為所有組件提供穩(wěn)定的供電電壓,避免輸入電壓波動(dòng)導(dǎo)致的相位抖動(dòng)與頻率偏移,保障振蕩穩(wěn)定性與壓控精度;輸出緩沖器則對(duì)振蕩器輸出的信號(hào)進(jìn)行放大與整形,匹配下游電路的接口標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)隔離振蕩核心與外部負(fù)載,避免負(fù)載變化對(duì)相位噪聲與頻率穩(wěn)定性造成影響.TSVD系列相位噪聲可達(dá)-160dBc/Hz@1kHz,-170dBc/Hz@10kHz,遠(yuǎn)優(yōu)于行業(yè)同類高端VCXO的-150dBc/Hz@1kHz標(biāo)準(zhǔn)(常規(guī)石英VCXO相位噪聲僅為-120dBc/Hz@1kHz),甚至可根據(jù)客戶高端場(chǎng)景需求,定制更高精度版本,確保時(shí)頻信號(hào)的極致純凈,避免因信號(hào)干擾導(dǎo)致的設(shè)備運(yùn)行異常,數(shù)據(jù)采集偏差等問題,完美適配高速光模塊,相控陣?yán)走_(dá),精密測(cè)試儀器等對(duì)信號(hào)純凈度要求極高的高端場(chǎng)景.

在高精度壓控調(diào)控方面,作為VCXO的核心功能,壓控精度,壓控線性度與壓控范圍直接決定了產(chǎn)品的同步校準(zhǔn)能力,傳統(tǒng)VCXO普遍存在壓控線性差,微調(diào)精度不足,牽引范圍有限等問題,難以滿足高端場(chǎng)景的動(dòng)態(tài)同步需求.TSVD系列搭載自主研發(fā)的高精度壓控調(diào)節(jié)模塊,采用高線性變?nèi)荻O管與專用壓控驅(qū)動(dòng)芯片,結(jié)合數(shù)字化壓控算法,實(shí)現(xiàn)壓控精度與線性度的雙重升級(jí),壓控線性偏差降至0.1%以下,優(yōu)于傳統(tǒng)石英VCXO50倍,使同步環(huán)路更容易實(shí)現(xiàn)誤差補(bǔ)償,大幅提升時(shí)鐘同步精度.同時(shí),優(yōu)化壓控電路設(shè)計(jì),拓展壓控范圍至±100ppm~±500ppm,可根據(jù)客戶場(chǎng)景需求靈活定制,遠(yuǎn)超傳統(tǒng)石英VCXO±50至±200ppm的常規(guī)牽引范圍,滿足不同高端電子系統(tǒng)對(duì)頻率微調(diào)的差異化需求;壓控電壓范圍覆蓋0.5V~3.3V,適配主流電子設(shè)備的供電標(biāo)準(zhǔn),無需額外配備專用驅(qū)動(dòng)模塊,進(jìn)一步提升集成便利性.此外,該模塊具備快速響應(yīng)特性,壓控響應(yīng)時(shí)間低至10μs,可實(shí)時(shí)跟蹤外部電壓變化,快速調(diào)整輸出頻率,確保電子系統(tǒng)的時(shí)鐘同步精度,完美解決傳統(tǒng)VCXO"壓控滯后,微調(diào)不準(zhǔn)"的痛點(diǎn).

ECS INC

在真空密封封裝方面,外部環(huán)境中的水汽,灰塵與空氣振動(dòng),會(huì)嚴(yán)重影響晶體的諧振特性與壓控模塊的穩(wěn)定性,導(dǎo)致相位噪聲升高,壓控精度下降,產(chǎn)品可靠性降低.TSVD系列采用Transko自研的超高真空密封陶瓷封裝工藝,封裝外殼選用高強(qiáng)度,高導(dǎo)熱,抗電磁干擾的特種陶瓷材質(zhì),封裝過程中采用真空封裝技術(shù),真空度可達(dá)10-6Pa,遠(yuǎn)優(yōu)于行業(yè)常規(guī)的10-5Pa標(biāo)準(zhǔn),有效防止水汽,灰塵進(jìn)入產(chǎn)品內(nèi)部,同時(shí)隔離外部空氣振動(dòng)對(duì)晶體的影響,進(jìn)一步降低振動(dòng)噪聲,提升產(chǎn)品的長(zhǎng)期運(yùn)行穩(wěn)定性與可靠性.此外,封裝外殼采用高導(dǎo)熱設(shè)計(jì),可快速傳導(dǎo)產(chǎn)品工作時(shí)產(chǎn)生的熱量,避免因溫度過高導(dǎo)致的性能衰減,延長(zhǎng)產(chǎn)品使用壽命(使用壽命可達(dá)10-12年);同時(shí)強(qiáng)化電磁屏蔽設(shè)計(jì),屏蔽效能達(dá)到50dB以上,有效隔絕外部電磁干擾對(duì)壓控電路與振蕩電路的影響,確保在復(fù)雜電磁環(huán)境中,壓控精度與相位噪聲依然保持穩(wěn)定,適配5G基站,相控陣?yán)走_(dá)等電磁環(huán)境復(fù)雜的高端場(chǎng)景.

(二)多重核心優(yōu)勢(shì),適配高端同步場(chǎng)景多元需求

TSVD系列并未局限于超低相位噪聲與精準(zhǔn)壓控的核心突破,而是結(jié)合高端電子設(shè)備的多元需求,兼顧寬頻覆蓋,寬溫適配,低功耗,強(qiáng)兼容性,高可靠性等多重核心優(yōu)勢(shì),實(shí)現(xiàn)"極致低噪,精準(zhǔn)壓控,多場(chǎng)景適配,高性價(jià)比"的綜合特性,打破了"超低相位噪聲必犧牲壓控性能,高精度晶振壓控必增加功耗"的行業(yè)認(rèn)知,完美適配5G/5.5G通信,400G/800G光模塊,相控陣?yán)走_(dá),衛(wèi)星導(dǎo)航,精密測(cè)試儀器,航空航天等多個(gè)高端同步場(chǎng)景,為客戶提供更優(yōu)質(zhì),更貼合需求的時(shí)頻解決方案,助力客戶提升終端產(chǎn)品的核心競(jìng)爭(zhēng)力,降低研發(fā)與集成成本.

在頻率覆蓋與穩(wěn)定性方面,依托高Q值晶體與精準(zhǔn)壓控技術(shù),TSVD系列實(shí)現(xiàn)了寬頻范圍,高頻率穩(wěn)定性與精準(zhǔn)壓控的三重優(yōu)勢(shì):頻率范圍覆蓋10MHz~150MHz,可根據(jù)客戶具體需求靈活定制頻率,滿足5G基站,高速光模塊,相控陣?yán)走_(dá)等場(chǎng)景對(duì)高頻時(shí)頻信號(hào)的核心需求,同時(shí)適配6G演進(jìn)過程中對(duì)更高基頻的同步需求;寬溫域(-40℃~+125℃)內(nèi)頻率穩(wěn)定度可達(dá)±0.02ppm,長(zhǎng)期老化率低至±0.08ppb/天,遠(yuǎn)優(yōu)于行業(yè)同類高端VCXO的±0.05ppm頻率穩(wěn)定度與±0.1ppb/天老化率,可確保終端設(shè)備在長(zhǎng)期連續(xù)運(yùn)行過程中,頻率輸出的穩(wěn)定性與一致性,結(jié)合精準(zhǔn)壓控功能,可實(shí)時(shí)補(bǔ)償頻率漂移,避免因頻率偏移與相位抖動(dòng)導(dǎo)致的設(shè)備運(yùn)行異常,數(shù)據(jù)采集偏差等問題,精準(zhǔn)適配航空航天,衛(wèi)星導(dǎo)航等對(duì)頻率穩(wěn)定性與同步精度要求極高的場(chǎng)景,為設(shè)備穩(wěn)定同步運(yùn)行筑牢時(shí)頻基準(zhǔn).

在寬溫適配與環(huán)境適應(yīng)性方面,TSVD系列工作溫度范圍覆蓋-40℃~+125℃,可輕松適應(yīng)北方冬季戶外極端低溫(-40℃),汽車發(fā)動(dòng)機(jī)艙高溫(+125℃),航空航天極端環(huán)境等惡劣溫度場(chǎng)景,即使在高低溫循環(huán)切換(-40℃~+125℃反復(fù)切換1000次以上)場(chǎng)景中,相位噪聲,壓控精度與頻率穩(wěn)定性依然保持最優(yōu)水平,無任何衰減.同時(shí),產(chǎn)品具備優(yōu)異的抗振,抗電磁干擾,防潮防塵性能:抗震強(qiáng)度可達(dá)500G(加速度),內(nèi)部采用加固型引腳設(shè)計(jì)與柔性緩沖結(jié)構(gòu),可有效吸收設(shè)備跌落,振動(dòng)帶來的沖擊力,避免內(nèi)部晶體與壓控電路損壞,適配航空航天,車載雷達(dá)等易受振動(dòng)影響的場(chǎng)景;屏蔽效能達(dá)到50dB以上,可有效隔絕外部強(qiáng)電磁干擾(如5G信號(hào),雷達(dá)輻射,工業(yè)設(shè)備干擾等),確保在復(fù)雜電磁環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行,適配相控陣?yán)走_(dá),5G基站,高速光模塊等電磁環(huán)境復(fù)雜的場(chǎng)景;經(jīng)過濕熱測(cè)試(溫度40℃,濕度90%,持續(xù)1000小時(shí))與防塵測(cè)試(符合IP65防塵標(biāo)準(zhǔn))后,性能無任何異常,可適配高濕度,高潔凈度等特殊場(chǎng)景(如精密測(cè)試儀器,量子計(jì)算設(shè)備),確保產(chǎn)品在各類復(fù)雜環(huán)境中都能穩(wěn)定運(yùn)行.

在低功耗方面,針對(duì)高端便攜式設(shè)備,航空航天設(shè)備,高速光模塊等對(duì)功耗控制的嚴(yán)苛需求,TSVD系列深度優(yōu)化低功耗設(shè)計(jì),采用低功耗壓控電路,節(jié)能元器件選型與優(yōu)化的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),靜態(tài)功耗低至2.0mA,相較于行業(yè)同類高端VCXO功耗降低30%以上,在實(shí)現(xiàn)極致低相位噪聲與精準(zhǔn)壓控的同時(shí),有效降低設(shè)備能耗.這種低功耗設(shè)計(jì),可完美適配便攜式精密測(cè)試儀器,衛(wèi)星導(dǎo)航終端,航空航天微型設(shè)備,高速光模塊等電池供電或低功耗場(chǎng)景,延長(zhǎng)設(shè)備續(xù)航時(shí)間,提升用戶使用體驗(yàn),同時(shí)滿足新能源汽車,物聯(lián)網(wǎng)終端等場(chǎng)景的低功耗要求,實(shí)現(xiàn)"超低相位噪聲,精準(zhǔn)壓控與低功耗"的完美兼顧.

在兼容性與集成性方面,TSVD系列采用標(biāo)準(zhǔn)化SMD封裝(3.2mm×2.5mm/5.0mm×3.2mm雙規(guī)格可選),引腳定義與行業(yè)主流高端VCXO保持完全兼容,客戶無需修改PCB板設(shè)計(jì),無需調(diào)整生產(chǎn)工藝,即可直接替換傳統(tǒng)VCXO低抖動(dòng)振蕩器產(chǎn)品或國(guó)際品牌同類產(chǎn)品,大幅降低客戶的研發(fā)成本,設(shè)計(jì)成本與升級(jí)周期,助力客戶快速實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品升級(jí),搶占高端市場(chǎng)先機(jī).同時(shí),產(chǎn)品支持寬電壓供電(2.5V~5.0V),可兼容不同高端電子設(shè)備的供電需求,無需額外配備專用電源模塊,進(jìn)一步提升產(chǎn)品的適配性與集成便利性;支持TTL,CMOS,LVDS等多種輸出電平,其中LVDS差分輸出可通過雙線抵消機(jī)制,抵消90%以上電源/地線噪聲,100Ω差分阻抗精準(zhǔn)匹配傳輸線,減少信號(hào)反射造成的相位畸變,較單端輸出降低相位噪聲20dBc/Hz@100kHz偏移,可靈活適配不同終端設(shè)備的接口需求,尤其適配400G/800G光模塊等高速SerDes場(chǎng)景,拓展產(chǎn)品應(yīng)用范圍.

全場(chǎng)景賦能,助力高端電子產(chǎn)業(yè)國(guó)產(chǎn)化升級(jí)

憑借極致的超低相位噪聲表現(xiàn),精準(zhǔn)的壓控性能,多重性能亮點(diǎn)與強(qiáng)環(huán)境適應(yīng)性,TSVD系列超低相位噪聲VCXO徹底打破了國(guó)際巨頭在高端VCXO領(lǐng)域的技術(shù)壟斷,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)超低相位噪聲VCXO的市場(chǎng)空白,可廣泛適配5G/5.5G通信,400G/800G光模塊,相控陣?yán)走_(dá),衛(wèi)星導(dǎo)航,精密測(cè)試儀器,航空航天,高端物聯(lián)網(wǎng)終端等多個(gè)核心高端同步領(lǐng)域,為各行業(yè)高端電子設(shè)備的研發(fā)升級(jí)提供核心時(shí)頻支撐,助力本土高端電子產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)自主可控,推動(dòng)我國(guó)VCXO行業(yè)向高端化,精細(xì)化,低噪化方向發(fā)展.當(dāng)前,中國(guó)VCXO行業(yè)供需協(xié)同增長(zhǎng),隨著下游高端前沿領(lǐng)域的快速發(fā)展,市場(chǎng)對(duì)超低相位噪聲,高精度壓控VCXO的需求日益嚴(yán)苛,TSVD系列的推出,恰逢其時(shí)地滿足了市場(chǎng)需求,為行業(yè)發(fā)展注入新的活力,推動(dòng)國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程不斷加速.

在5G/5.5G通信領(lǐng)域,隨著5G網(wǎng)絡(luò)向高頻段,高帶寬,低延遲迭代,5.5G/6G技術(shù)逐步推進(jìn),5G基站,毫米波通信設(shè)備對(duì)時(shí)頻信號(hào)純凈度與同步精度的要求不斷提升,相位噪聲的微小差異,頻率的微小偏移都可能導(dǎo)致通信質(zhì)量下降,傳輸效率降低.TSVD系列的超低相位噪聲與精準(zhǔn)壓控性能,可完美適配5G基站的時(shí)鐘同步,信號(hào)傳輸?shù)群诵男枨?通過精準(zhǔn)壓控實(shí)時(shí)補(bǔ)償頻率漂移,減少信號(hào)干擾與相位抖動(dòng),提升通信質(zhì)量與傳輸效率,助力5G通信技術(shù)向高頻段,高帶寬方向升級(jí);同時(shí),可適配毫米波通信設(shè)備,為終端的高速數(shù)據(jù)傳輸,低延遲通信提供穩(wěn)定純凈,可精準(zhǔn)調(diào)控的時(shí)頻支撐,推動(dòng)5G/6G終端向高端化,智能化方向發(fā)展.

在400G/800G光模塊領(lǐng)域,光模塊的56Gbaud PAM4調(diào)制系統(tǒng)對(duì)時(shí)鐘抖動(dòng)與同步精度要求極高,時(shí)鐘抖動(dòng)每增加0.1ps RMS,誤碼率將飆升300%,傳統(tǒng)單端CMOS時(shí)鐘源因共模噪聲干擾,難以滿足高速SerDes對(duì)相位穩(wěn)定性的嚴(yán)苛需求.TSVD系列的超低相位噪聲,高精度壓控與LVDS差分輸出特性,可將相位抖動(dòng)壓縮至0.7ps RMS以下,通過差分信號(hào)抵消共模噪聲,精準(zhǔn)匹配傳輸線阻抗,減少信號(hào)反射,確保光模塊高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性與準(zhǔn)確性,助力光模塊向高帶寬,低誤碼率方向發(fā)展,適配數(shù)據(jù)中心,高速通信等核心場(chǎng)景.

在相控陣?yán)走_(dá)領(lǐng)域,相控陣?yán)走_(dá)的探測(cè)精度,抗干擾能力直接取決于時(shí)頻信號(hào)的純凈度與同步精度,傳統(tǒng)VCXO的高相位噪聲,壓控精度不足會(huì)嚴(yán)重影響雷達(dá)的探測(cè)性能.TSVD系列的極致低相位噪聲表現(xiàn),可確保雷達(dá)信號(hào)的純凈度,提升雷達(dá)的探測(cè)精度與抗干擾能力;精準(zhǔn)的壓控功能可實(shí)時(shí)校準(zhǔn)頻率,保障雷達(dá)波束的精準(zhǔn)掃描與同步,同時(shí)其寬溫適配,高抗震,高可靠性的特點(diǎn),可適配雷達(dá)的復(fù)雜工作環(huán)境,保障雷達(dá)長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行,助力相控陣?yán)走_(dá)向高精度,高靈敏度方向發(fā)展,應(yīng)用于國(guó)防,航空航天等核心領(lǐng)域.

在衛(wèi)星導(dǎo)航領(lǐng)域,GPS/格洛納斯/北斗等衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)對(duì)時(shí)頻穩(wěn)定性,信號(hào)純凈度與同步精度的要求極高,時(shí)頻信號(hào)的相位抖動(dòng),頻率漂移都可能導(dǎo)致定位偏差,影響導(dǎo)航精度.TSVD系列±0.02ppm的寬溫域頻率穩(wěn)定度,超低相位噪聲表現(xiàn)與精準(zhǔn)壓控功能,可完美適配衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)的時(shí)鐘同步需求,精準(zhǔn)捕捉衛(wèi)星信號(hào),通過壓控實(shí)時(shí)補(bǔ)償頻率漂移,提升導(dǎo)航定位精度,同時(shí)其低功耗與高可靠性設(shè)計(jì),可延長(zhǎng)便攜式導(dǎo)航終端與衛(wèi)星設(shè)備的續(xù)航時(shí)間,推動(dòng)衛(wèi)星導(dǎo)航設(shè)備向高精度,便攜式,低功耗方向發(fā)展,助力北斗導(dǎo)航產(chǎn)業(yè)的自主可控升級(jí).

在精密測(cè)試儀器領(lǐng)域,便攜式示波器,高頻頻率計(jì)數(shù)器,精密信號(hào)發(fā)生器等高端測(cè)試儀器,對(duì)頻率精度,信號(hào)純凈度與頻率可調(diào)性的要求極高,傳統(tǒng)VCXO往往難以滿足其嚴(yán)苛需求.TSVD系列的超低相位噪聲,高頻率穩(wěn)定性與精準(zhǔn)壓控性能,可確保測(cè)試儀器的測(cè)量精度,通過靈活的頻率微調(diào)功能,適配不同測(cè)試場(chǎng)景的需求,減少信號(hào)干擾帶來的測(cè)量誤差,確保測(cè)試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性與可靠性,助力科研機(jī)構(gòu),企業(yè)研發(fā)部門實(shí)現(xiàn)更便捷,更精準(zhǔn)的高頻測(cè)試工作,推動(dòng)精密測(cè)試儀器向高端化,便攜化,高精度方向發(fā)展.

在航空航天領(lǐng)域,航空航天設(shè)備的工作環(huán)境極其嚴(yán)苛,對(duì)時(shí)頻器件的可靠性,環(huán)境適應(yīng)性,信號(hào)純凈度與同步精度要求極高.TSVD系列寬溫域,高抗震,高抗干擾,高可靠性,超低相位噪聲與精準(zhǔn)壓控的特點(diǎn),可完美適配航空航天設(shè)備的復(fù)雜工況,為衛(wèi)星,航天器的時(shí)鐘同步,數(shù)據(jù)傳輸提供核心時(shí)頻支撐,通過精準(zhǔn)壓控實(shí)時(shí)校準(zhǔn)頻率,保障航空航天設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行,助力我國(guó)航空航天產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展.

品牌加持,品質(zhì)護(hù)航:Transko的匠心堅(jiān)守與產(chǎn)業(yè)擔(dān)當(dāng)

作為深耕時(shí)頻器件領(lǐng)域數(shù)十年的創(chuàng)新企業(yè),Transko石英貼片晶振始終將品質(zhì)與創(chuàng)新放在首位,以匠心鑄品質(zhì),以嚴(yán)苛守初心,憑借深厚的技術(shù)積淀,完善的品質(zhì)管控體系與專業(yè)的服務(wù)能力,為TSVD系列超低相位噪聲VCXO的高品質(zhì),高可靠性提供堅(jiān)實(shí)保障,延續(xù)Transko"高可靠,長(zhǎng)壽命,高精度"的產(chǎn)品核心優(yōu)勢(shì),助力本土高端VCXO實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化替代,彰顯民族企業(yè)的產(chǎn)業(yè)擔(dān)當(dāng).當(dāng)前,國(guó)內(nèi)VCXO行業(yè)正加速實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代,Transko作為本土優(yōu)勢(shì)企業(yè),主動(dòng)承接國(guó)際產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移,加大高端VCXO產(chǎn)品研發(fā)投入,逐步縮小與國(guó)際廠商的差距,推動(dòng)行業(yè)整體競(jìng)爭(zhēng)力提升.

TSVD系列全面延續(xù)Transko成熟的全流程品質(zhì)追溯體系,從原材料采購,晶體篩選,電路設(shè)計(jì),封裝加工到成品測(cè)試,每一個(gè)環(huán)節(jié)都嚴(yán)格遵循ISO9001質(zhì)量管理體系,ISO14001環(huán)境管理體系,IATF16949汽車行業(yè)質(zhì)量管理體系等國(guó)際最高行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),配備先進(jìn)的高頻檢測(cè)設(shè)備與專業(yè)的檢測(cè)團(tuán)隊(duì),實(shí)現(xiàn)從原材料到成品的全流程品質(zhì)管控,確保每一款產(chǎn)品的一致性與可靠性,杜絕不合格產(chǎn)品出廠.針對(duì)航空航天,國(guó)防等高端場(chǎng)景,額外增加了專項(xiàng)可靠性測(cè)試,確保產(chǎn)品符合高端場(chǎng)景的嚴(yán)苛要求.

每一款TSVD系列產(chǎn)品,都需經(jīng)過數(shù)十項(xiàng)嚴(yán)苛的檢測(cè)項(xiàng)目,涵蓋相位噪聲測(cè)試,壓控精度測(cè)試,壓控線性度測(cè)試,頻率穩(wěn)定性測(cè)試,功耗測(cè)試,高低溫循環(huán)測(cè)試,抗震性測(cè)試,抗電磁干擾測(cè)試,長(zhǎng)期老化測(cè)試,防潮防塵測(cè)試,引腳強(qiáng)度測(cè)試等,每一項(xiàng)檢測(cè)都采用行業(yè)先進(jìn)的測(cè)試設(shè)備,由專業(yè)檢測(cè)人員全程操作,確保檢測(cè)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性與權(quán)威性.其中,相位噪聲測(cè)試采用專業(yè)相位噪聲測(cè)試儀(精度可達(dá)-180dBc/Hz),精準(zhǔn)把控產(chǎn)品的相位噪聲水平;壓控精度與線性度測(cè)試采用高精度壓控測(cè)試儀,精準(zhǔn)驗(yàn)證壓控范圍與線性偏差,確保符合設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn);頻率穩(wěn)定性測(cè)試采用高精度頻率計(jì)數(shù)器(精度可達(dá)0.0001ppm),精準(zhǔn)把控產(chǎn)品的頻率輸出精度;長(zhǎng)期老化測(cè)試持續(xù)1800小時(shí)以上,模擬產(chǎn)品長(zhǎng)期運(yùn)行場(chǎng)景(溫度40℃,濕度60%),實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)相位噪聲,壓控精度,頻率穩(wěn)定性與功耗變化,確保產(chǎn)品在長(zhǎng)期使用過程中性能穩(wěn)定無衰減;抗震性測(cè)試采用專業(yè)振動(dòng)測(cè)試設(shè)備,模擬航空航天,設(shè)備運(yùn)輸?shù)葓?chǎng)景,確保產(chǎn)品在500G加速度下依然能正常運(yùn)行.只有全部通過所有測(cè)試項(xiàng)目,且經(jīng)過多輪抽樣復(fù)檢(抽樣比例不低于5%)合格后,產(chǎn)品才能出廠交付客戶.憑借嚴(yán)苛的品質(zhì)管控,TSVD系列的故障率遠(yuǎn)低于行業(yè)平均水平,可達(dá)百萬分之一以下,遠(yuǎn)優(yōu)于行業(yè)平均的百萬分之五故障率,為終端設(shè)備的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行提供堅(jiān)實(shí)保障,贏得全球眾多頭部高端電子企業(yè)的認(rèn)可與信賴.

MTI-milliren振蕩器老化性能研究15

同時(shí),Transko無線網(wǎng)絡(luò)晶振依托"研發(fā)-生產(chǎn)-供應(yīng)鏈"全產(chǎn)業(yè)鏈布局優(yōu)勢(shì),為TSVD系列的穩(wěn)定供應(yīng)與高效服務(wù)提供有力支撐,徹底解決客戶的后顧之憂,讓客戶在產(chǎn)品選型,量產(chǎn),集成過程中全程無憂.在生產(chǎn)端,依托全球標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)基地,配備先進(jìn)的自動(dòng)化生產(chǎn)設(shè)備與精密高頻檢測(cè)設(shè)備,實(shí)現(xiàn)TSVD系列的穩(wěn)定量產(chǎn),月產(chǎn)能可達(dá)80萬件以上,可快速響應(yīng)客戶的批量訂單需求,大幅縮短交貨周期(常規(guī)訂單交貨周期不超過7個(gè)工作日),避免因供應(yīng)鏈問題影響客戶生產(chǎn)計(jì)劃;在研發(fā)端,Transko持續(xù)投入大量資金與人力(研發(fā)投入占企業(yè)年?duì)I收的15%以上),組建專業(yè)的高端VCXO技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì),聚焦行業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與客戶需求痛點(diǎn),結(jié)合MEMS諧振器融合,數(shù)字鎖相環(huán)(DPLL)等前沿技術(shù),不斷優(yōu)化TSVD系列的產(chǎn)品性能,同時(shí)可根據(jù)客戶的具體場(chǎng)景需求,提供定制化適配方案,包括頻率定制(10MHz~150MHz),相位噪聲定制,壓控范圍定制,功耗優(yōu)化,封裝微調(diào),引腳定義定制等,滿足不同行業(yè),不同場(chǎng)景的差異化需求;在服務(wù)端,Transko建立了完善的服務(wù)體系,提供從產(chǎn)品選型,樣品測(cè)試,調(diào)試適配到售后維護(hù)的全流程技術(shù)支持,配備專業(yè)的高端技術(shù)工程師團(tuán)隊(duì),24小時(shí)響應(yīng)客戶咨詢,協(xié)助客戶快速解決產(chǎn)品集成,調(diào)試過程中遇到的各類問題,同時(shí)提供技術(shù)培訓(xùn)服務(wù),幫助客戶快速掌握產(chǎn)品使用方法,最大限度降低客戶的研發(fā)成本與周期,為客戶提供全方位,高效,貼心的服務(wù).

技術(shù)引領(lǐng),賦能未來:TSVD開啟超低相位噪聲VCXO國(guó)產(chǎn)化新征程

TSVD系列超低相位噪聲VCXO的推出,不僅是Transko在高端VCXO領(lǐng)域的重大技術(shù)突破,更是本土?xí)r頻器件產(chǎn)業(yè)向高端化升級(jí)的重要標(biāo)志,彰顯了Transko在時(shí)頻器件領(lǐng)域的核心競(jìng)爭(zhēng)力與創(chuàng)新實(shí)力,也為全球高端電子設(shè)備的發(fā)展注入了新的活力.相較于國(guó)際同類產(chǎn)品,

當(dāng)前,在國(guó)內(nèi)政策支持與市場(chǎng)需求推動(dòng)下,中國(guó)VCXO行業(yè)迎來重要發(fā)展機(jī)遇,本土廠商正持續(xù)加大研發(fā)投入,提升產(chǎn)品一致性與可靠性,逐步縮小與國(guó)際廠商的差距,推動(dòng)國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程不斷加速.隨著5G/6G通信,400G/800G光模塊,相控陣?yán)走_(dá),衛(wèi)星導(dǎo)航等下游高端前沿領(lǐng)域的快速發(fā)展,市場(chǎng)對(duì)超低相位噪聲,高精度壓控VCXO的需求日益增長(zhǎng),TSVD系列的推出,恰逢其時(shí)地滿足了市場(chǎng)的嚴(yán)苛需求,為各行業(yè)高端電子設(shè)備的研發(fā)升級(jí)提供了核心支撐.未來,Transko將繼續(xù)堅(jiān)守"技術(shù)創(chuàng)新,品質(zhì)至上"的核心理念,持續(xù)深耕時(shí)頻器件領(lǐng)域,不斷突破技術(shù)瓶頸,完善產(chǎn)品矩陣,推出更多兼具高性能,高可靠性,高性價(jià)比的高端時(shí)頻產(chǎn)品,涵蓋SMD晶體振蕩器,VCTCXO,OCXO,TCXO,VCXO等全系列,同時(shí)持續(xù)優(yōu)化TSVD系列的產(chǎn)品性能,拓展更多定制化功能,結(jié)合新型光刻微加工石英晶體與MEMS諧振器融合設(shè)計(jì),自適應(yīng)濾波技術(shù),推動(dòng)VCXO向芯片級(jí)尺寸,更高基頻,更低近端相噪,更寬壓控范圍方向發(fā)展,為全球客戶提供更優(yōu)質(zhì),更貼合需求的時(shí)頻解決方案,助力各行業(yè)實(shí)現(xiàn)技術(shù)升級(jí)與產(chǎn)品創(chuàng)新,推動(dòng)全球電子產(chǎn)業(yè)向高端化,智能化,高品質(zhì)方向發(fā)展.

Transko將以TSVD系列為契機(jī),持續(xù)推動(dòng)時(shí)頻技術(shù)的創(chuàng)新與應(yīng)用,深化與全球合作伙伴的深度合作,聚焦5G/6G通信,400G/800G光模塊,相控陣?yán)走_(dá),衛(wèi)星導(dǎo)航,精密測(cè)試儀器,航空航天等核心高端前沿領(lǐng)域,精準(zhǔn)對(duì)接客戶需求,提供定制化,全方位的時(shí)頻解決方案,助力合作伙伴提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力,搶占高端市場(chǎng)先機(jī).同時(shí),Transko將繼續(xù)加大研發(fā)投入,布局下一代高端VCXO技術(shù),持續(xù)鞏固在全球高端時(shí)頻器件領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,助力本土?xí)r頻器件產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)自主可控,與全球合作伙伴攜手,共赴時(shí)頻器件產(chǎn)業(yè)的美好未來,為全球電子產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展注入源源不斷的動(dòng)力.
Transko新品發(fā)布TSVD系列超低相位噪聲VCXO

KDS晶振

1AJ250004B

SMD-49

11*4.6

25.000MHZ

20PF

KDS晶振

1ZZCAA24000BE0B

DSX211G

2016

24.000MHZ

10PF

KDS晶振

1N227000BB0AK

DSX321G

3225

27.000MHZ

11PF

KDS晶振

1N230000AB0C

DSX321G

3225

30.000MHZ

10PF

KDS晶振

1N240000AB0J

DSX321G

3225

40.000MHZ

15PF

KDS晶振

1XSE098304AR2

DSO321SR

3225

98.304MHZ

3.3V

KDS晶振

1AJ100005B

SMD-49

11*4.6

10.000MHZ

12PF

KDS晶振

1ZN326000AB0A

DSX221SH

2520

26.000MHZ

7PF

KDS晶振

1AJ240006AEA

SMD-49

11*4.6

24.000MHZ

16PF

KDS晶振

1AJ240006AK

SMD-49

11*4.6

24.000MHZ

16PF

KDS晶振

1AJ240006BB

SMD-49

11*4.6

24.000MHZ

16PF

KDS晶振

1AJ245765C

SMD-49

11*4.6

24.576MHZ

18PF

KDS晶振

ZC08759

DSO211AH

2016

25.000MHZ

3.3V

KDS晶振

1AR270002GA

SMD-49

11*4.6

27.000MHZ

12.9PF

KDS晶振

1AR304002A

SMD-49

11*4.6

30.400MHZ

12PF

KDS晶振

1XXD16367MAA

DSB211SDN

2016

16.367MHZ

3.3V

KDS晶振

ZC12467

DSA211SDN

2016

16.32MHZ

3.3V

KDS晶振

1XXB16367MAA

DSB221SDN

2520

16.367MHZ

2.8V

KDS晶振

1XXB16369JFA

DSB221SDN

2520

16.369MHZ

3.3V

KDS晶振

ZC09382

DSA535SG

5032

18.432MHZ

3.3V

KDS晶振

ZC12456

DSB211SDN

2016

16.320MHZ

3.3V

KDS晶振

1ZNA32000BB0B

DSX221G

2520

32.000MHZ

12PF

KDS晶振

ZC12965

DSA321SDN

3225

23.04MHZ

3.3V

KDS晶振

ZC13727

DSX221SH

2520

24.000MHZ

10PF

KDS晶振

1ZNA16000AB0P

DSX221G

2520

16.000MHZ

9PF

KDS晶振

X1H013000B81H

HSX531S

5032

13.000MHZ

8PF

KDS晶振

X4S013000DA1H-W

HSX421S

4025

13.000MHZ

10PF

KDS晶振

1XSE009600AV

DSO321SV

3225

9.6MHZ

3.3V

KDS晶振

1XSE012000AR58

DSO321SR

3225

12.000MHZ

3.3V

KDS晶振

1ZZNAE48000ZZ0R

DSX211SH

2016

48.000MHZ

7PF

KDS晶振

1N227000EE0L

DSX321G

3225

27.000MHZ

9PF

KDS晶振

1ZZCAA27120BB0D

DSX211G

2016

27.12MHZ

10PF

KDS晶振

1N226000AA0L

DSX321G

3225

26.000MHZ

7.5pf

KDS晶振

1N226000AA0G

DSX321G

3225

26.000MHZ

12.5PF

KDS晶振

1RAK38400CKA

DSR211STH

2016

38.4MHZ

7pf

KDS晶振

7CG03840A06

DSR1612ATH

1612

38.400MHZ

8PF

KDS晶振

1CX40000EE1O

DSX840GA

8045

40.000MHZ

18PF

KDS晶振

1SF805E1MM

LOW PASS FILTER 1/4IN




KDS晶振

1XSA050000AVW

DSO751SV

7050

50.000MHZ

3.3V

KDS晶振

1ZCP37400AA0H

DSX211AL

2016

37.400MHZ

10PF

KDS晶振

1XSR025000AR25

DSO751SR

7050

25.000MHZ

3.3V

KDS晶振

1AC112893EA

AT-49

11*4.6

11.2893MHZ

10PF

KDS晶振

1AC125821EA

AT-49

11*4.6

12.58291MHZ

8.8PF

KDS晶振

1XVD008192VB

DSV321SV

3225

8.192MHZ

3.3V

KDS晶振

1XVD024000VA

DSV321SV

3225

24.000MHZ

3.3V

KDS晶振

1AR245766AZ

SMD-49

11*4.6

24.576MHZ

20PF

KDS晶振

1AR245766BE

SMD-49

11*4.6

24.576MHZ


KDS晶振

1AR270002CG

SMD-49

11*4.6

27.000MHZ

10PF

KDS晶振

1AR270002CGA

SMD-49

11*4.6

27.000MHZ

10PF

KDS晶振

1N226000AA0E

DSX321G

3225

26.000MHZ

8.1PF

KDS晶振

1AR270002EH

SMD-49

11*4.6

27.000MHZ

12PF

KDS晶振

1AV270002BA

SMD-49

11*4.6

27.000MHZ

16PF

KDS晶振

1AY289002DB

AT-49

11*4.6

28.900MHZ

12PF

KDS晶振

1C228322EE0D

DSX321G

3225

28.322MHZ

10PF

KDS晶振

1C254000CC0C

DSX321G

3225

54.000MHZ

10PF

KDS晶振

1C319200AA0A

DSX321G

3225

19.200MHZ

8PF

KDS晶振

1C338400AA0B

DSX321G

3225

38.400MHZ

10PF

KDS晶振

1C707600CC1B

DSX530GA

5032

7.600MHZ

10PF

KDS晶振

1C736864CC1A

DSX530GA

5032

36.864MHZ

8PF

KDS晶振

1CW04000KK3C

DSX151GAL

11.8*5.5

4.000MHZ

12PF

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