CX11V TF是英國IQD公司耐高溫3215車規(guī)級的32.768KHZ

描述該產(chǎn)品由Statek公司設計和制造美國加利福尼亞州的公司，由IQD分銷。CX11VSM音叉石英晶體具有極高的小尺寸(3.2毫米x 1.5mm毫米)和極薄的外形(低于1mm)。對于空間或質(zhì)量非常重要的應用，CX11VSM的小尺寸和低質(zhì)量使其成為理想之選選擇。-C SM1陶瓷蓋SM1(鍍金，符合RoHS標準)請注意，除非另有說明，所有數(shù)據(jù)僅在25°C時有效聲明。CX11V TF石英晶體,英國IQD耐高溫32.768KHZ

頻率參數(shù)頻率32.0千赫至180.0千赫頻率容差為20.00ppm至100.00ppm25°C時的耐受條件第一年最大老化3ppm晶體頻率(f)是溫度(T)的函數(shù)遵循拋物線關系:f(T) = f(To)[1+k(T-To) ]

其中To是轉(zhuǎn)變溫度，k是頻率穩(wěn)定系數(shù)頻率穩(wěn)定系數(shù)(k):-0.035 ppm/℃電氣參數(shù)負載電容(CL) 9.0pF分流電容(C0) 1pF(典型值，32.7680kHz)驅(qū)動電平最大0.5 W典型:基頻32.7680千赫50.0千赫100.0千赫運動電阻(R1)50kω40kω20kω運動電容(C1) 3.5fF 1.4fF 1.0fF品質(zhì)因數(shù)(Q) 25k 55k 70k

CX11V TF石英晶體,英國IQD耐高溫32.768KHZ

典型:基頻32.7680千赫50.0千赫100.0千赫并聯(lián)電容(Co)1.0皮法0.8皮法0.8皮法負載電容(CL) 9pF 9pF 9pF 質(zhì)量(SM1，陶瓷蓋子)12毫克12毫克12毫克周轉(zhuǎn)溫度(至)25攝氏度17攝氏度18攝氏度

注意:其他負載電容是可用的其他周轉(zhuǎn)溫度也是可用的提供更嚴格的頻率容差請聯(lián)系IQD銷售辦事處了解更多信息工作溫度范圍 -10至70攝氏度 -40至85攝氏度-55至125攝氏度

環(huán)境參數(shù)沖擊:5000克，0.3毫秒，1/2正弦振動:20G，10-2000Hz正弦掃頻儲存溫度范圍:-55至125攝氏度

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